SI2372DS-T1-GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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SI2372DS-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI2372DS-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2372DS-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 4 A (Ta), 5,3 A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.9 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 288 pF @ 15 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 960mW (Ta), 1,7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Ta), 5,3 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI2372
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 33mOhm bei 3A, 10V

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Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
PMV42ENER	Nexperia USA Inc.	1’382	1727-2706-1-ND	Fr. 0.41000	Ähnlich

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