Name: SQJ414EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ414EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.19991 CHF
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SQJ414EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ414EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ414EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJ414EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ414EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 30 A (Tc) 45W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ414EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1110 pF @ 15 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12mOhm bei 4,5A, 10V	Basis-Produktnummer SQJ414
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
SQJ414EP-T1_BE3	Vishay Siliconix	2’884	742-SQJ414EP-T1_BE3CT-ND	Fr. 1.11000	Parametrisches Äquivalent

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