Diodes Incorporated Einzelne FETs, MOSFETs

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von 2’833

Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
DMN65D8L-7 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	37’801 Vorrätig	1 : Fr. 0.13000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.02577 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	310mA (Ta)	5V, 10V	3Ohm bei 115mA, 10V	2V bei 250µA	0.87 nC @ 10 V	±20V	22 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	1’487 Vorrätig	1 : Fr. 0.16000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.02830 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2,5V bei 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002W-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 Diodes Incorporated	67’661 Vorrätig	1 : Fr. 0.17000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.03441 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	1’443 Vorrätig	1 : Fr. 0.17000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.03508 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8Ohm bei 250mA, 10V	1,5V bei 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	116’992 Vorrätig	1 : Fr. 0.18000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.03349 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm bei 100mA, 5V	2V bei 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	74’030 Vorrätig	1 : Fr. 0.19000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.03560 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-523	SOT-523
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	72’226 Vorrätig	1 : Fr. 0.19000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.03824 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm bei 170mA, 10V	2V bei 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138K-13 MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	169’853 Vorrätig	1 : Fr. 0.21000 Gurtabschnitt (CT) 10’000 : Fr. 0.03618 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	310mA (Ta)	10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 250µA	0.95 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	380mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	58’645 Vorrätig	1 : Fr. 0.21000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.04279 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	460mA (Ta)	1,8V, 4,5V	700mOhm bei 350mA, 4,5V	1V bei 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-523	SOT-523
DMG1012TQ-7 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 Diodes Incorporated	645’367 Vorrätig	1 : Fr. 0.23000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.04737 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	630mA (Ta)	1,8V, 4,5V	400mOhm bei 600mA, 4,5V	1V bei 250µA	0.74 nC @ 4.5 V	±6V	60.67 pF @ 16 V	-	280mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-523	SOT-523
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	6’354 Vorrätig	1 : Fr. 0.24000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.05087 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mOhm bei 2,8A, 4,5V	1,2V bei 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	506’516 Vorrätig	1 : Fr. 0.26000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.05501 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	600mA (Ta)	1,8V, 4,5V	900mOhm bei 430mA, 4,5V	1V bei 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2400UFB-7 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	121’491 Vorrätig	1 : Fr. 0.28000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.05867 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	750mA (Ta)	1,8V, 4,5V	550mOhm bei 600mA, 4,5V	900mV bei 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±12V	36 pF @ 16 V	-	470mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMG2302UK-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Diodes Incorporated	49’589 Vorrätig	1 : Fr. 0.28000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.05961 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2,8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	90mOhm bei 3,6A, 4,5V	1V bei 250µA	2.8 nC @ 10 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	660mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS127S-7 MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Diodes Incorporated	17’504 Vorrätig	1 : Fr. 0.29000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.06015 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	50mA (Ta)	5V, 10V	160Ohm bei 16mA, 10V	4,5V bei 250µA	1.08 nC @ 10 V	±20V	21.8 pF @ 25 V	-	610mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3420U-7 MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3 Diodes Incorporated	35’247 Vorrätig	1 : Fr. 0.30000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.06506 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	5,47 A (Ta)	1,8V, 10V	29mOhm bei 6A, 10V	1,2V bei 250µA	5.4 nC @ 4.5 V	±12V	434.7 pF @ 10 V	-	740mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3406L-7 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Diodes Incorporated	32’995 Vorrätig	1 : Fr. 0.30000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.06453 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,6 A (Ta)	4,5V, 10V	50mOhm bei 3,6A, 10V	2V bei 250µA	11.2 nC @ 10 V	±20V	495 pF @ 15 V	-	770mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN62D1LFB-7B MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN Diodes Incorporated	27’457 Vorrätig	1 : Fr. 0.31000 Gurtabschnitt (CT) 10’000 : Fr. 0.05625 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	320mA (Ta)	1,5V, 4V	2Ohm bei 100mA, 4V	1V bei 250µA	0.9 nC @ 4.5 V	±20V	64 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	1’053 Vorrätig	1 : Fr. 0.32000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.06859 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	4,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	45mOhm bei 4A, 4,5V	1V bei 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN6140L-13 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Diodes Incorporated	118’069 Vorrätig	1 : Fr. 0.34000 Gurtabschnitt (CT) 10’000 : Fr. 0.06333 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	1,6 A (Ta)	4,5V, 10V	140mOhm bei 1,8A, 10V	3V bei 250µA	8.6 nC @ 10 V	±20V	315 pF @ 40 V	-	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP21D0UT-7 MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523 Diodes Incorporated	38’600 Vorrätig	1 : Fr. 0.34000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.07376 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	590mA (Ta)	1,8V, 4,5V	495mOhm bei 400mA, 4,5V	700mV bei 250µA (typisch)	1.54 nC @ 8 V	±8V	80 pF @ 10 V	-	240mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-523	SOT-523
DMN3067LW-7 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 Diodes Incorporated	6’901 Vorrätig	1 : Fr. 0.36000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.07797 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	2,6 A (Ta)	2,5V, 4,5V	67mOhm bei 2,5A, 4,5V	1,5V bei 250µA	4.6 nC @ 4.5 V	±12V	447 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN2065UWQ-7 MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323 Diodes Incorporated	16’530 Vorrätig	1 : Fr. 0.37000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.08200 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,1 A (Ta)	1,5V, 4,5V	56mOhm bei 2A, 4,5V	1V bei 250µA	5.4 nC @ 4.5 V	±12V	400 pF @ 10 V	-	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN3042L-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Diodes Incorporated	1’940 Vorrätig	1 : Fr. 0.37000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.08200 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	5,8 A (Ta)	2,5V, 10V	26,5mOhm bei 5,8A, 10V	1,4V bei 250µA	20 nC @ 10 V	±12V	860 pF @ 15 V	-	720mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3415U-7 MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 Diodes Incorporated	1’069 Vorrätig	1 : Fr. 0.37000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.08200 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	39mOhm bei 4A, 4,5V	1V bei 250µA	9.1 nC @ 4.5 V	±8V	294 pF @ 10 V	-	900mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

FETs, MOSFETs

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