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IGBT-Module

Resultate : 2’550
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
Leistung - Max.
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
Eingang
NTC-Thermistor
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
APT2X60D60J
APT60GA60JD60
IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP
Microchip Technology
1’248
Vorrätig
1 : Fr. 26.74000
Stange
Stange
Aktiv
PT
Einzeln
600 V
112 A
356 W
2,5V bei 15V, 62A
275 µA
8.01 nF @ 25 V
Standard
Nein
-55°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
ISOTOP®
IXYK1x0xNxxxx
IXYN100N120C3H1
IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
IXYS
345
Vorrätig
1 : Fr. 36.16000
Stange
Stange
Aktiv
-
Einzeln
1200 V
134 A
690 W
3,5V bei 15V, 100A
50 µA
6 nF @ 25 V
Standard
Nein
-55°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
IXYN110N120C4H1
1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
IXYS
226
Vorrätig
1 : Fr. 39.29000
Stange
Stange
Aktiv
Schlitz
Einzeln
1200 V
210 A
830 W
2,4V bei 15V, 110A
50 µA
5420 pF @ 25 V
Standard
Nein
-55°C bis 175°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
301
Vorrätig
1 : Fr. 40.54000
Stange
Stange
Aktiv
Trench Feldstopp
Einzeln
1200 V
281 A
1087 W
2,05V bei 15V, 100A
100 µA
9.35 nF @ 25 V
Standard
Nein
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227
IXYK1x0xNxxxx
IXDN75N120
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
IXYS
323
Vorrätig
1 : Fr. 41.83000
Stange
-
Stange
Aktiv
NPT
Einzeln
1200 V
150 A
660 W
2,7V bei 15V, 75A
4 mA
5.5 nF @ 25 V
Standard
Nein
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
IXYK1x0xNxxxx
IXGN100N170
IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
IXYS
282
Vorrätig
1 : Fr. 51.24000
Stange
-
Stange
Aktiv
NPT
Einzeln
1700 V
160 A
735 W
3V bei 15V, 100A
50 µA
9.22 nF @ 25 V
Standard
Nein
-55°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
FZ600R17KE3
FZ400R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 400A 2400W
Infineon Technologies
82
Vorrätig
1 : Fr. 80.02000
Tablett
-
Tablett
Aktiv
Trench Feldstopp
Einzeln
1200 V
400 A
2400 W
2,1V bei 15V, 400A
5 mA
28 nF @ 25 V
Standard
Ja
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
Modul
Modul
6
Vorrätig
1 : Fr. 88.34000
Tablett
Tablett
Aktiv
Trench Feldstopp
Halbbrücke
600 V
260 A
680 W
1,9V bei 15V, 200A
5 mA
-
Standard
Nein
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
Modul
Modul
FZ600R12KE4HOSA1
FZ600R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 600A 3000W
Infineon Technologies
30
Vorrätig
1 : Fr. 97.85000
Tablett
Tablett
Aktiv
-
Einzeln
1200 V
600 A
3000 W
2,1V bei 15V, 600A
5 mA
1.7 nF @ 25 V
Standard
Nein
-40°C bis 125°C
Chassisbefestigung
Modul
Modul
IGBT MODULE C SERIES
FF300R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 450A 1600W
Infineon Technologies
62
Vorrätig
1 : Fr. 102.15000
Tablett
Tablett
Aktiv
Trench Feldstopp
Halbbrücke
1200 V
450 A
1600 W
2,15V bei 15V, 300A
5 mA
19 nF @ 25 V
Standard
Nein
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
Modul
Modul
27
Vorrätig
1 : Fr. 119.96000
Tablett
Tablett
Aktiv
Trench Feldstopp
Halbbrücke
600 V
500 A
1250 W
1,9V bei 15V, 400A
5 mA
-
Standard
Nein
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
Modul
Modul
FZ600R17KE4HOSA1
FZ600R17KE4HOSA1
IGBT MOD 1700V 1200A 3350W
Infineon Technologies
44
Vorrätig
1 : Fr. 127.48000
Tablett
Tablett
Aktiv
Trench Feldstopp
Einzeln
1700 V
1200 A
3350 W
2,3V bei 15V, 600A
1 mA
49 nF @ 25 V
Standard
Nein
-40°C bis 150°C
Chassisbefestigung
Modul
Modul
FZ900R12KE4
FZ900R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 900A 4300W
Infineon Technologies
82
Vorrätig
1 : Fr. 140.16000
Tablett
Tablett
Aktiv
Trench Feldstopp
Einzeln
1200 V
900 A
4300 W
2,1V bei 15V, 900A
5 mA
56 nF @ 25 V
Standard
Nein
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
Modul
Modul
NXH800H120L7QDSG
NXH800H120L7QDSG
1200V 800A QDUAL3
onsemi
35
Vorrätig
768
Fabrik
1 : Fr. 168.02000
Tablett
-
Tablett
Aktiv
Trench Feldstopp
Halbbrücke
1200 V
800 A
-
2,05V bei 15V, 800A
100 µA
94300 pF @ 25 V
Standard
Nein
-40°C bis 175°C (TJ)
Chassisbefestigung
Modul
11-PIM (152x62,15)
90
Vorrätig
1 : Fr. 598.31000
Box
Box
Aktiv
-
Dreiphasiger Umrichter
750 V
1.15 kA
1 kW
1,21V bei 15V, 600A
1 mA
60800 pF @ 50 V
Standard
Nein
-40°C bis 175°C (TJ)
Chassisbefestigung
Modul
-
IXYK1x0xNxxxx
IXXN200N60B3
IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B
IXYS
129
Vorrätig
1 : Fr. 26.07000
Stange
Stange
Aktiv
PT
Einzeln
600 V
280 A
940 W
1,7V bei 15V, 100A
50 µA
9.97 nF @ 25 V
Standard
Nein
-55°C bis 175°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
IXYK1x0xNxxxx
IXXN110N65B4H1
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
IXYS
233
Vorrätig
1 : Fr. 26.54000
Stange
Stange
Aktiv
PT
Einzeln
650 V
215 A
750 W
2,1V bei 15V, 110A
50 µA
3.65 nF @ 25 V
Standard
Nein
-55°C bis 175°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
APT2X60D60J
APT75GN120JDQ3
IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
Microchip Technology
116
Vorrätig
1 : Fr. 32.49000
Stange
-
Stange
Aktiv
Trench Feldstopp
Einzeln
1200 V
124 A
379 W
2,1V bei 15V, 75A
200 µA
4.8 nF @ 25 V
Standard
Nein
-55°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
ISOTOP
ISOTOP®
SOT-227B MiniBLOCK
IXYN120N120C3
IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
IXYS
183
Vorrätig
1 : Fr. 36.80000
Stange
Stange
Aktiv
-
Einzeln
1200 V
240 A
1200 W
3,2V bei 15V, 120A
25 µA
-
Standard
Nein
-55°C bis 175°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B - miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXGN320N60A3
IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
IXYS
1’609
Vorrätig
1 : Fr. 38.98000
Stange
Stange
Aktiv
PT
Einzeln
600 V
320 A
735 W
1,25V bei 15V, 100A
150 µA
18 nF @ 25 V
Standard
Nein
-55°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
APT2X60D60J
APT75GP120JDQ3
IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
Microchip Technology
890
Vorrätig
1 : Fr. 42.44000
Stange
Stange
Aktiv
PT
Einzeln
1200 V
128 A
543 W
3,9V bei 15V, 75A
1.25 mA
7.04 nF @ 25 V
Standard
Nein
-55°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
ISOTOP
ISOTOP®
IXYK1x0xNxxxx
IXGN400N60B3
IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B
IXYS
266
Vorrätig
1 : Fr. 45.11000
Stange
Stange
Aktiv
PT
Einzeln
600 V
430 A
1000 W
1,4V bei 15V, 100A
100 µA
31 nF @ 25 V
Standard
Nein
-55°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
39
Vorrätig
1 : Fr. 54.97000
Stange
-
Stange
Aktiv
Trench Feldstopp
Halbbrücke
1200 V
75 A
305 W
2,65V bei 15V, 40A
50 µA
3.2 nF @ 25 V
Standard
Nein
-40°C bis 150°C (TJ)
Durchkontaktierung
12-poliges MTP-Modul
12-MTP
18
Vorrätig
1 : Fr. 58.25000
Tablett
-
Tablett
Aktiv
Trench Feldstopp
Dreiphasiger Umrichter
1200 V
54 A
215 W
2,25V bei 15V, 35A
1 mA
2 nF @ 25 V
Standard
Ja
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
Modul
Modul
FF150R12KE3GB2HOSA1
FF150R12KE3GB2HOSA1
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Infineon Technologies
15
Vorrätig
1 : Fr. 93.71000
Tablett
Tablett
Aktiv
Trench Feldstopp
Halbbrückenwechselrichter
1200 V
225 A
780 W
2,15V bei 15V, 150A
5 mA
11 nF @ 25 V
Standard
Nein
-40°C bis 125°C (TJ)
Chassisbefestigung
Modul
Modul
Angezeigt werden
von 2’550

IGBT-Module

IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind Leistungshalbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die hohe Effizienz und kurze Schaltzeiten bieten und in erster Linie als elektronische Schalter eingesetzt werden. Als Module sind die IGBTs in Form von asymmetrischen Brücken, Aufwärts-, Abwärts- und Brems-Chopper, Vollbrücken-, Drei-Ebenen- und Drei-Phasen-Wechselrichter konfiguriert. Einige verfügen über integrierte NTC-Thermistoren zur Temperaturüberwachung. Die Unterscheidung der IGBT-Module erfolgt nach maximaler Leistung, Kollektorstrom, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung und -Konfiguration.