Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Resultate : 4'285
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCGeneral ElectricGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLinear Integrated Systems, Inc.
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Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
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Verpackung
-BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablett
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Status der Komponente
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
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FET-Typ
2 N- und 2 P-Kanal (H-Brücke)2 N- und 2 P-Kanal abgestimmtes Paar2 N- und 2 P-Kanal2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (Phasenabschnitt)2 N-Kanal (kaskodiert)2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin2 N-Kanäle2 N-kanal (dual), schottky2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)2 P-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar
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FET-Merkmal
-GaNFET (Galliumnitrid)Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 1,8VLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4,5VLogikpegel-Gatter, 4VLogikpegel-Gatter, 5VMit VerarmungsschichtSiliziumkarbid (SiC)
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
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Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA115mA, 130mA
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Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,8mOhm bei 1200A, 10V0,95mOhm bei 30A, 10V0,95mOhm bei 8A, 4,5V1mOhm bei 38A, 10V1,25mOhm bei 35A, 10V1,3mOhm bei 100A, 10V1,5mOhm bei 33A, 10V1,6mOhm bei 10A, 4,5V1,6mOhm bei 40A, 10V1,66mOhm bei 80A, 10V1,73mOhm bei 760A, 15V1,8mOhm bei 5A, 4,5V1,9mOhm bei 8A, 4,5V
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Vgs(th) (max.) bei Id
10mV bei 10µA10mV bei 1µA10mV bei 20µA20mV bei 10µA20mV bei 1µA20mV bei 20µA180mV bei 1µA220mV bei 1µA360mV bei 1µA380mV bei 1µA400mV bei 250µA (Min)420mV bei 1µA450mV bei 100µA (Min)
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Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,1pC bei 4,5V, 0,7pC bei 4,5V0,4pC bei 4,5V, 7,3nC bei 4,5V0,45 pC bei 4,5V0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,26nC bei 2,5V0,3nC bei 4,5V0,304nC bei 4,5V0,31nC bei 4,5V0,32nC bei 4,5V0,34nC bei 4,5V0,35nC bei 4,5V0,35nC bei 5V
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Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V3pF bei 5V6pF bei 3V6,2pF bei 10V6,6pF bei 10V7pF bei 10V7pF bei 3V7,1pF bei 10V7,4pF bei 10V7,5pF bei 10V8,5pF bei 3V9pF bei 15V9,1pF bei 3V
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Leistung - Max.
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
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Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 175°C-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (Tc)-40°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 175°C (TJ)
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Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
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Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN mit freiliegendem Pad4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSP5-LGA
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Gehäusetyp vom Lieferanten
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-BGA (1x1)4-Chip-LGA (1,59 x 1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)4-EFLIP-LGA (1,11x1,11)4-EFLIP-LGA (1,4x1,4)4-EFLIP-LGA (1,62x1,62)4-Picostar (1,31x1,31)4-QFN (2x2)4-WLCSP (1,26x1,26)
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Lagerungsoptionen
Medien
Umweltschutzoptionen
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Herst.-Teilenr.
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Herst.
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DK-Teilenr.
Serie
Gehäuse
Status der Komponente
FET-Typ
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
Fr. 1.67000
38'000 - Sofort
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)GaNFET (Galliumnitrid)100V1,7A70mOhm bei 2A, 5V2,5V bei 600µA0,73nC bei 5V75pF bei 50V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Fr. 2.18000
21'385 - Sofort
EPCEPC
1
917-1152-2-ND
917-1152-1-ND
917-1152-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-PinGaNFET (Galliumnitrid)120V3,4A60mOhm bei 4A, 5V2,5V bei 700µA0,8nC bei 5V80pF bei 60V--40°C bis 150°C (TJ)-EinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
Fr. 6.60000
1'158 - Sofort
EPCEPC
1
917-1184-2-ND
917-1184-1-ND
917-1184-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)GaNFET (Galliumnitrid)100V23A6,3mOhm bei 20A, 5V2,5V bei 5,5mA7nC bei 5V800pF bei 50V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
Fr. 7.37000
1'848 - Sofort
EPCEPC
1
917-1182-2-ND
917-1182-1-ND
917-1182-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)GaNFET (Galliumnitrid)60V23A4,4mOhm bei 20A, 5V2,5V bei 7mA6,8nC bei 5V830pF bei 30V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Fr. 653.61000
28 - Sofort
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM300D12P2E001-ND
-
Tablett
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)Siliziumkarbid (SiC)1200V (1,2kV)300 A (Tc)-4V bei 68mA-35000pF bei 10V1875W-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
SOT-353
DMN32D2LDF-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Fr. 0.38000
1'276 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN32D2LDF-7DITR-ND
DMN32D2LDF-7DICT-ND
DMN32D2LDF-7DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-PinLogikpegel-Gate30V400mA1,2Ohm bei 100mA, 4V1,2V bei 250µA-39pF bei 3V280mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SOT-353
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Fr. 0.46000
0 - Sofort
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-6478-2-ND
1727-6478-1-ND
1727-6478-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V320mA1,6Ohm bei 320mA, 10V1,6V bei 250µA0,7nC bei 4,5V56pF bei 10V445mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008PBKS,115
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
Fr. 0.48000
4'182 - Sofort
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1282-2-ND
1727-1282-1-ND
1727-1282-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V200mA4,1Ohm bei 200mA, 4,5V1,1V bei 250µA0,75nC bei 4,5V46pF bei 15V445mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Fr. 0.42000
77'775 - Sofort
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-3126-2-ND
1727-3126-1-ND
1727-3126-6-ND
TrenchMOS™
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V860mA350mOhm bei 200mA, 4,5V1,5V bei 250µA0,72nC bei 4,5V34pF bei 20V410mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Fr. 0.37000
63'830 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3085LSD-13DITR-ND
DMP3085LSD-13DICT-ND
DMP3085LSD-13DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V3,9A70mOhm bei 5,3A, 10V3V bei 250µA11nC bei 10V563pF bei 25V1,1W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
Fr. 0.42000
23'266 - Sofort
770'000 - Hersteller
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate30V220mA, 200mA1,5Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 250µA0,38nC bei 4,5V22,6pF bei 15V350mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Fr. 0.46000
50'364 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard12V5,6A29mOhm bei 5A, 4,5V1V bei 250µA19,6nC bei 8V914pF bei 6V1,4W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-UDFN mit freiliegendem PadU-DFN2020-6 (Typ B)
UF6
SSM6L40TU,LF
X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
Fr. 0.47000
0 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6L40TULFTR-ND
SSM6L40TULFCT-ND
SSM6L40TULFDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gatter, 4V30V1,6A (Ta), 1,4A (Ta)122mOhm bei 1A, 10V, 226mOhm bei 1A, 10V2,6V bei 1mA, 2V bei 1mA5,1nC bei 10V, 2,9nC bei 10V180pF bei 15V, 120pF bei 15V500mW (Ta)150°COberflächenmontage6-SMD, flache AnschlüsseUF6
SOT-563
2N7002V
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
Fr. 0.44000
88'065 - Sofort
onsemionsemi
1
2N7002VTR-ND
2N7002VCT-ND
2N7002VDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V280mA7,5Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 250µA-50pF bei 25V250mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563F
8-SO
DMG9926USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
Fr. 0.47000
229 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926USD-13DITR-ND
DMG9926USD-13DICT-ND
DMG9926USD-13DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V8A24mOhm bei 8,2A, 4,5V900mV bei 250µA8,8nC bei 4,5V867pF bei 15V1,3W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
Fr. 0.49000
660 - Sofort
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1025X-T1-GE3TR-ND
SI1025X-T1-GE3CT-ND
SI1025X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V190mA4Ohm bei 500mA, 10V3V bei 250µA1,7nC bei 15V23pF bei 25V250mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
Fr. 0.52000
22'139 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926UDMDITR-ND
DMG9926UDMDICT-ND
DMG9926UDMDIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal (zweifach), gemeinsamer DrainLogikpegel-Gate20V4,2A28mOhm bei 8,2A, 4,5V900mV bei 250µA8,3nC bei 4,5V856pF bei 10V980mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-6SOT-26
SC-70-6
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Fr. 0.58000
16'489 - Sofort
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1900DL-T1-E3TR-ND
SI1900DL-T1-E3CT-ND
SI1900DL-T1-E3DKR-ND
TrenchFET®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V590mA480mOhm bei 590mA, 10V3V bei 250µA1,4nC bei 10V-270mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Fr. 0.65000
18'962 - Sofort
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
US6M2TR-ND
US6M2CT-ND
US6M2DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalStandard30V, 20V1,5A, 1A240mOhm bei 1,5A, 4,5V1,5V bei 1mA2,2nC bei 4,5V80pF bei 10V1W150°C (TJ)Oberflächenmontage6-SMD, flache AnschlüsseTUMT6
8-SOIC
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
Fr. 0.61000
225 - Sofort
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI9933CDY-T1-GE3TR-ND
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V4A58mOhm bei 4,8A, 4,5V1,4V bei 250µA26nC bei 10V665pF bei 10V3,1W-50°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
8-SOIC
AOSD21311C
MOSFET 2P-CH 8-SOIC
Fr. 0.65000
51'080 - Sofort
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-AOSD21311CTR-ND
785-AOSD21311CCT-ND
785-AOSD21311CDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Standard30V5 A (Ta)42mOhm bei 5A, 10V2,2V bei 250µA23nC bei 10V720pF bei 15V1,7W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
Fr. 0.62000
29'759 - Sofort
onsemionsemi
1
NTUD3174NZT5GOSTR-ND
NTUD3174NZT5GOSCT-ND
NTUD3174NZT5GOSDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard20V220mA (Ta)1,5Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 100µA-12,5pF bei 15V125mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-963SOT-963
8-SOIC
AO4840
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
Fr. 0.68000
55'558 - Sofort
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1063-2-ND
785-1063-1-ND
785-1063-6-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate40V6A30mOhm bei 6A, 10V3V bei 250µA10,8nC bei 10V650pF bei 20V2W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
8-SOIC
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Fr. 0.74000
222'280 - Sofort
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1317-2-ND
785-1317-1-ND
785-1317-6-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate40V8A19mOhm bei 8A, 10V2,4V bei 250µA12nC bei 10V415pF bei 20V2W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
FDMAxxxxxZ
FDMA3023PZ
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Fr. 0.67000
6'280 - Sofort
18'000 - Hersteller
onsemionsemi
1
FDMA3023PZTR-ND
FDMA3023PZCT-ND
FDMA3023PZDKR-ND
PowerTrench®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V2,9A90mOhm bei 2,9A, 4,5V1V bei 250µA11nC bei 4,5V530pF bei 15V700mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-VDFN mit freiliegendem Pad6-MicroFET (2x2)
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