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FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
EPC
94’025
Vorrätig
1 : Fr. 1.61000
Gurtabschnitt (CT)
2’500 : Fr. 0.73824
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivGaNFET (Galliumnitrid)2 N-Kanal (Halbbrücke)-100V1,7A70mOhm bei 2A, 5V2,5V bei 600µA0,73nC bei 5V75pF bei 50V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC
2’131
Vorrätig
1 : Fr. 8.14000
Gurtabschnitt (CT)
500 : Fr. 5.29750
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivGaNFET (Galliumnitrid)2 N-Kanal (Halbbrücke)-100V23A6,3mOhm bei 20A, 5V2,5V bei 5,5mA7nC bei 5V800pF bei 50V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Rohm Semiconductor
69
Vorrätig
1 : Fr. 792.86000
Tablett
-
Tablett
AktivSiliziumkarbid (SiC)2 N-Kanal (Halbbrücke)-1200V (1,2kV)300 A (Tc)-4V bei 68mA-35000pF bei 10V1875W-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
BSM250D17P2E004
BSM250D17P2E004
HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
Rohm Semiconductor
29
Vorrätig
1 : Fr. 1’098.14000
Box
-
Box
AktivSiliziumkarbid (SiC)2 N-Kanal (Halbbrücke)-1700V (1,7kV)250 A (Tc)-4V bei 66mA-30000pF bei 10V1800W (Tc)-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
660’195
Vorrätig
1 : Fr. 0.23000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.04043
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-60V300mA1,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0,6nC bei 4,5V40pF bei 10V285mW150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT 363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
onsemi
101’153
Vorrätig
1 : Fr. 0.33000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05895
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V295mA1,6Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0,9nC bei 4,5V26pF bei 20V250mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Toshiba Semiconductor and Storage
54’370
Vorrätig
1 : Fr. 0.36000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06672
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 1,5V20V250mA (Ta)2,2Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 1mA-12pF bei 10V300mW150°COberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT-363
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Micro Commercial Co
163’250
Vorrätig
1 : Fr. 0.37000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06836
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-60V115mA7,5Ohm bei 50mA, 5V2V bei 250µA-50pF bei 25V200mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
296’417
Vorrätig
1 : Fr. 0.39000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07187
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate20V1,03A, 700 mA480mOhm bei 200mA, 5V900mV bei 250µA0,5nC bei 4,5V37,1pF bei 10V450mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
1’287’271
Vorrätig
1 : Fr. 0.39000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07285
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate20V1,34 A, 1,14 A400mOhm bei 600mA, 4,5V1V bei 250µA0,74nC bei 4,5V60,67pF bei 16V1,12W-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-6SOT-26
206’092
Vorrätig
1 : Fr. 0.40000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.07422
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V100mA4Ohm bei 10mA, 4V1,5V bei 100µA-8,5pF bei 3V150mW150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
343’715
Vorrätig
1 : Fr. 0.40000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07504
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V320mA1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0,8nC bei 4,5V50pF bei 10V420mW150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
378’450
Vorrätig
1 : Fr. 0.36000
Gurtabschnitt (CT)
8’000 : Fr. 0.07636
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 0,9V50V200mA2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-26pF bei 10V120mW150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666EMT6
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
278’340
Vorrätig
1 : Fr. 0.41000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07628
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V300mA1,6Ohm bei 500mA, 10V2,1V bei 250µA0,6nC bei 4,5V50pF bei 10V295mW150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
137’350
Vorrätig
1 : Fr. 0.42000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07734
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate50V160mA7,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0,35nC bei 5V36pF bei 25V445mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
49’200
Vorrätig
1 : Fr. 0.42000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.07812
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate20V500mA, 330mA630mOhm bei 200mA, 5V1V bei 1mA1,23nC bei 4V46pF bei 10V150mW150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666ES6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
479’225
Vorrätig
1 : Fr. 0.36000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08085
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 0,9V50V200mA2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-26pF bei 10V120mW150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
499’530
Vorrätig
1 : Fr. 0.45000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08300
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V320mA1,6Ohm bei 320mA, 10V1,6V bei 250µA0,7nC bei 4,5V56pF bei 10V445mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
977’414
Vorrätig
1 : Fr. 0.47000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08593
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V350mA1,4Ohm bei 350mA, 4,5V1,1V bei 250µA0,68nC bei 4,5V50pF bei 15V445mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
219’306
Vorrätig
1 : Fr. 0.47000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08593
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V300mA3Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0,6nC bei 10V20pF bei 25V500mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT363
NX3008PBKS,115
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
33’886
Vorrätig
1 : Fr. 0.47000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08593
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V200mA4,1Ohm bei 200mA, 4,5V1,1V bei 250µA0,75nC bei 4,5V46pF bei 15V445mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
51’970
Vorrätig
1 : Fr. 0.40000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.08789
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gatter, 1,5V20V800mA (Ta), 720mA (Ta)240mOhm bei 500mA, 4,5V, 300mOhm bei 400mA, 4,5V1V bei 1mA2nC bei 4,5V, 1,76nC bei 4,5V90pF bei 10V, 110pF bei 10V150mW (Ta)150°COberflächenmontageSOT-563, SOT-666ES6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT2G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemi
92’879
Vorrätig
3’140’000
Factory
1 : Fr. 0.41000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.09014
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate20V540mA, 430mA550mOhm bei 540mA, 4,5V1V bei 250µA2,5nC bei 4,5V150pF bei 16V250mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT363
PMGD280UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
134’541
Vorrätig
1 : Fr. 0.41000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.09052
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V870mA340mOhm bei 200mA, 4,5V1V bei 250µA0,89nC bei 4,5V45pF bei 20V400mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
116’335
Vorrätig
1 : Fr. 0.41000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.09054
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V860mA350mOhm bei 200mA, 4,5V1,5V bei 250µA0,72nC bei 4,5V34pF bei 20V410mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
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FET- und MOSFET-Arrays


Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.