FET- und MOSFET-Arrays

Resultate : 5’180
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Verpackung
BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiCFET (Siliziumkarbid)Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N- und 2 P-Kanal2 N- und 2 P-Kanal (Vollbrücke)2 N- und 2 P-Kanal abgestimmtes Paar2 N-Kanal (Dual), P-Kanal2 N-kanal (dual), schottky2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (kaskodiert)2 N-Kanal (Phasenabschnitt)2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin
FET-Merkmal
-Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 1,8VLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4,5VLogikpegel-Gatter, 4VLogikpegel-Gatter, 5VMit VerarmungsschichtSiliziumkarbid (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,46mOhm bei 160A, 12V0,762mOhm bei 160A, 12V0,765mOhm bei 160A, 12V, 0,580mOhm bei 160A, 12V0,765mOhm bei 160A, 12V, 0,710mOhm bei 160A, 12V0,8mOhm bei 1200A, 10V0,88mOhm bei 160A, 14V, 0,71mOhm bei 160A, 14V0,88mOhm bei 50A, 10V0,95mOhm bei 30A, 10V0,95mOhm bei 8A, 4,5V0,99mOhm bei 80A, 10V, 1,35mOhm bei 80A, 10V1,039mOhm bei 160A, 12V, 762µOhm bei 160A, 12V1,2mOhm bei 800A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
10mV bei 10µA10mV bei 1µA10mV bei 20µA20mV bei 10µA20mV bei 1µA20mV bei 20µA180mV bei 1µA220mV bei 1µA360mV bei 1µA380mV bei 1µA400mV bei 250µA (Min)420mV bei 1µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,4pC bei 4,5V, 7,3nC bei 4,5V0,45 pC bei 4,5V0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,26nC bei 2,5V0,28nC bei 4,5V0,28nC bei 4,5V, 0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V, 0,28nC bei 4,5V0,304nC bei 4,5V0,31nC bei 4,5V0,32nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V3pF bei 5V6pF bei 3V6,2pF bei 10V6,6pF bei 10V7pF bei 10V7pF bei 3V7,1pF bei 10V7,4pF bei 10V7,5pF bei 10V8,5pF bei 3V9pF bei 15V
Leistung - Max.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN mit freiliegendem Pad4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-Chip-LGA (1,59 x 1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Verpackung
Produktstatus
Technologie
Konfiguration
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
764’926
Vorrätig
1 : Fr. 0.23000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05090
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
25pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
350’012
Vorrätig
1 : Fr. 0.23000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05203
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
26pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
241’865
Vorrätig
407’500
Fabrik
1 : Fr. 0.23000
Gurtabschnitt (CT)
2’500 : Fr. 0.07009
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
30V
3,9A
70mOhm bei 5,3A, 10V
3V bei 250µA
11nC bei 10V
563pF bei 25V
1,1W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
147’638
Vorrätig
66’000
Fabrik
1 : Fr. 0.26000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.10513
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
540mA
550mOhm bei 540mA, 4,5V
1V bei 250µA
-
150pF bei 16V
225mW
-65°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170’166
Vorrätig
1 : Fr. 0.27000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.10680
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal, gemeinsamer Drain-Anschluss
Logikpegel-Gate
30V
6 A, 5,5 A
30mOhm bei 6A, 10V
2,4V bei 250µA
6,3nC bei 10V
310pF bei 15V
2W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
137’950
Vorrätig
1 : Fr. 0.29000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05316
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
60V
230mA
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2V bei 250µA
-
50pF bei 25V
310mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
12’039
Vorrätig
1 : Fr. 0.30000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05428
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
320mA
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0,8nC bei 4,5V
50pF bei 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q100
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
66’822
Vorrätig
1 : Fr. 0.31000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08441
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
610mA (Ta)
396mOhm bei 500mA, 4,5V
1V bei 250µA
2nC bei 8V
43pF bei 10V
220mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
25’887
Vorrätig
1 : Fr. 0.31000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.05570
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gatter, 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm bei 800mA, 4,5V, 390mOhm bei 800mA, 4,5V
1V bei 1mA
1nC bei 10V
55pF bei 10V, 100pF bei 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
ES6
213’307
Vorrätig
1 : Fr. 0.32000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05738
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm bei 100mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
12pF bei 10V
300mW
150°C
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
114’465
Vorrätig
1 : Fr. 0.32000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08581
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
30V
250mA
1,5Ohm bei 10mA, 4V
1,5V bei 100µA
1,3nC bei 5V
33pF bei 5V
272mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
38’268
Vorrätig
1 : Fr. 0.32000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08736
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
950mA
350mOhm bei 950mA, 4,5V
1,2V bei 1,6µA
0,32nC bei 4,5V
63pF bei 10V
500mW
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
129’905
Vorrätig
1 : Fr. 0.33000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.09901
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
30V
7 A (Ta)
20mOhm bei 7A, 10V
2,3V bei 250µA
20nC bei 10V
600pF bei 15V
1,7W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-SOIC
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
105’484
Vorrätig
1 : Fr. 0.33000
Gurtabschnitt (CT)
5’000 : Fr. 0.08491
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal komplementär
Logikpegel-Gate
20V
600mA, 500mA
620mOhm bei 600mA, 4,5V
950mV bei 250µA
0,7nC bei 4,5V
21,3pF bei 10V
265mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-XFDFN mit freiliegendem Pad
DFN1010B-6
Pkg 5880
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Vishay Siliconix
88’519
Vorrätig
1 : Fr. 0.33000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.13350
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
485mA
700mOhm bei 600mA, 4,5V
900mV bei 250µA
0,75nC bei 4,5V
-
250mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
434’469
Vorrätig
747’000
Fabrik
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.09323
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0,3nC bei 4,5V
30pF bei 25V, 25pF bei 25V
450mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
153’534
Vorrätig
2’367’000
Fabrik
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06211
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
20V
1,03A, 700 mA
480mOhm bei 200mA, 5V
900mV bei 250µA
0,5nC bei 4,5V
37,1pF bei 10V
450mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
84’621
Vorrätig
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.09397
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
20V
540mA, 430mA
550mOhm bei 540mA, 4,5V
1V bei 250µA
2,5nC bei 4,5V
150pF bei 16V
250mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
60’012
Vorrätig
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.09323
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
60V
280mA
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2,5V bei 250µA
-
50pF bei 25V
150mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
31’586
Vorrätig
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
5’000 : Fr. 0.08937
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
30V
590mA
670mOhm bei 590mA, 4,5V
950mV bei 250µA
1,05nC bei 4,5V
30,3pF bei 15V
285mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-XFDFN mit freiliegendem Pad
DFN1010B-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
340’645
Vorrätig
1 : Fr. 0.36000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06482
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
320mA
1,6Ohm bei 300mA, 10V
1,5V bei 250µA
0,8nC bei 4,5V
50pF bei 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
26’980
Vorrätig
1 : Fr. 0.36000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.09594
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanäle
-
30V
5A
32mOhm bei 5,8A, 10V
1,5V bei 250µA
-
1155pF bei 15V
1,4W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-VDFN mit freiliegendem Pad
DFN2020-6L
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
250’962
Vorrätig
1 : Fr. 0.36000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06590
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
300mA (Ta)
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,1V bei 250µA
0,6nC bei 4,5V
50pF bei 10V
295mW
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
89’413
Vorrätig
1 : Fr. 0.36000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06575
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
300mA
3Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0,6nC bei 10V
20pF bei 25V
500mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
71’830
Vorrätig
1 : Fr. 0.36000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08040
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
860mA
350mOhm bei 200mA, 4,5V
1,5V bei 250µA
0,72nC bei 4,5V
34pF bei 20V
410mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
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von 5’180

FET- und MOSFET-Arrays


Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.