Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

Resultate : 33'363
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorHoneywell AerospaceInfineon TechnologiesInventchipIXYSIXYS Integrated Circuits Division
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Serie
-*AlphaMOSAlphaSGTā„¢aMOS5ā„¢aMOSā„¢AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFETā„¢Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOSā„¢Automotive, AEC-Q101, CoolMOSā„¢ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOSā„¢ CFD7AAutomotive, AEC-Q101, CoolSiCā„¢
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Verpackung
-Band & Box (TB)BoxDigi-ReelĀ®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
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Status der Komponente
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhƤltlichNicht fĆ¼r NeukonstruktionenNur verfĆ¼gbar bisObsoletVorlƤufig
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FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
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Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
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Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25Ā°C
150ĀµA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
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Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-0,35V0V0V, 10V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V1,5V
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Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 60A, 4,5V0,47mOhm bei 20A, 10V0,48 mOhm bei 50A, 10V0,52mOhm bei 30A, 10V0,53mOhm bei 20A, 10V0,55mOhm bei 25A, 10V0,55mOhm bei 50A, 10V
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Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250ĀµA (Min)400mV bei 250ĀµA450mV bei 100ĀµA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250ĀµA (Min)450mV bei 250ĀµA450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250ĀµA (Min)500mV bei 250ĀµA570mV bei 1mA600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)
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Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V
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Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16VĀ±5V
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EingangskapazitƤt (Ciss) (max.) bei Vds
0.0237 pF @ 25 V0.0242 pF @ 25 V0.131 pF @ 25 V3.288 pF @ 400 V3.5 pF @ 15 V4.411 pF @ 50 V4.5 pF @ 5 V4.559 pF @ 40 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V
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FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (Kƶrper)Schottky-Diode (isoliert)StandardStrommessungSuperjunctionTemperaturmessdiode
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Verlustleistung (max.)
0,49mW1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW
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Betriebstemperatur
-65Ā°C bis 150Ā°C (TJ)-65Ā°C bis 175Ā°C (TJ)-60Ā°C bis 175Ā°C (TJ)-55Ā°C bis 110Ā°C (TA)-55Ā°C bis 125Ā°C (TA)-55Ā°C bis 125Ā°C (TJ)-55Ā°C bis 125Ā°C-55Ā°C bis 135Ā°C (TJ)-55Ā°C bis 150Ā°C (TA)-55Ā°C bis 150Ā°C (TJ)-55Ā°C bis 150Ā°C-55Ā°C bis 155Ā°C (TJ)-55Ā°C bis 175Ā°C (TA)
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Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflƤchenmontageOberflƤchenmontage, benetzbare Flanke
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GehƤusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN0806H43-DFN1411 (1,4x1,1)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP3-PQFN (5x6)
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GehƤuse / HĆ¼lle
3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache AnschlĆ¼sse3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Nicht standardmƤƟiges3-SMD, flache AnschlĆ¼sse3-SMD, flacher Anschluss3-SMD, ohne AnschlĆ¼sse3-UDFN3-UFDFN
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Lagerungsoptionen
Medien
Umweltschutzoptionen
MARKTPLATZPRODUKT
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Herst.-Teilenr.
Preis
Lagerbestand
Lieferant
Herst.
Mindestmenge
DK-Teilenr.
Serie
GehƤuse
Status der Komponente
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25Ā°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
EingangskapazitƤt (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
GehƤusetyp vom Lieferanten
GehƤuse / HĆ¼lle
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Fr. 0.77000
351'704 - Sofort
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 600ĀµA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Fr. 1.07000
86'656 - Sofort
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)15 V3,4 A (Ta)5V30mOhm bei 1,5A, 5V2,5V bei 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Fr. 1.07000
173'004 - Sofort
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 20ĀµA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Fr. 1.23000
596'743 - Sofort
EPCEPC
1
917-1137-2-ND
917-1137-1-ND
917-1137-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V550mOhm bei 100mA, 5V2,5V bei 80ĀµA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Fr. 1.50000
48'307 - Sofort
EPCEPC
1
917-1147-2-ND
917-1147-1-ND
917-1147-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V6,8 A (Ta)5V25mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Fr. 1.97000
35'048 - Sofort
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6 A (Ta)5V30mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageChipumriss (5 Lƶtstreifen)Einsatz
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
Fr. 1.91000
50'170 - Sofort
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V16 A (Ta)5V7mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
Fr. 1.88000
13'769 - Sofort
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4 A (Ta)5V160mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250ĀµA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Fr. 2.30000
55'196 - Sofort
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29 A (Ta)5V-2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
Fr. 2.45000
20'116 - Sofort
EPCEPC
1
917-EPC2055TR-ND
917-EPC2055CT-ND
917-EPC2055DKR-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhm bei 15A, 5V2,5V bei 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Fr. 2.54000
10'613 - Sofort
EPCEPC
1
917-1084-2-ND
917-1084-1-ND
917-1084-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V5 A (Ta)5V100mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageChipumriss (4 Lƶtstreifen)Einsatz
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Fr. 2.75000
205'428 - Sofort
EPCEPC
1
917-1211-2-ND
917-1211-1-ND
917-1211-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
Fr. 2.73000
33'381 - Sofort
EPCEPC
1
917-1118-2-ND
917-1118-1-ND
917-1118-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)65 V2 A (Ta)5V530mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250ĀµA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Fr. 2.95000
17'253 - Sofort
EPCEPC
1
917-EPC2207TR-ND
917-EPC2207CT-ND
917-EPC2207DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V14 A (Ta)5V22mOhm bei 14A, 5V2,5V bei 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
Fr. 3.05000
19'395 - Sofort
EPCEPC
1
917-1204-2-ND
917-1204-1-ND
917-1204-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V48 A (Ta)5V3,8mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Fr. 3.16000
27'444 - Sofort
EPCEPC
1
917-EPC2059TR-ND
917-EPC2059CT-ND
917-EPC2059DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
Aktiv----------------
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Fr. 3.38000
30'716 - Sofort
EPCEPC
1
917-1087-2-ND
917-1087-1-ND
917-1087-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V8,5 A (Ta)5V50mOhm bei 7A, 5V2,5V bei 1,5mA2.5 nC @ 5 V+6V, -4V270 pF @ 100 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
Fr. 4.16000
50'057 - Sofort
EPCEPC
1
917-EPC2218TR-ND
917-EPC2218CT-ND
917-EPC2218DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V----------OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Fr. 4.31000
107'053 - Sofort
EPCEPC
1
917-1079-2-ND
917-1079-1-ND
917-1079-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V36 A (Ta)5V7mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageChipumriss (11 Lƶtstreifen)Einsatz
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
Fr. 4.45000
17'003 - Sofort
EPCEPC
1
917-1083-2-ND
917-1083-1-ND
917-1083-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V53 A (Ta)5V4mOhm bei 33A, 5V2,5V bei 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Fr. 5.63000
1'582 - Sofort
EPCEPC
1
917-1218-2-ND
917-1218-1-ND
917-1218-6-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V32 A (Ta)5V8mOhm bei 20A, 5V2,5V bei 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Fr. 6.04000
18'133 - Sofort
EPCEPC
1
917-1085-2-ND
917-1085-1-ND
917-1085-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V22 A (Ta)5V25mOhm bei 12A, 5V2,5V bei 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageChipumriss (7 Lƶtstreifen)Einsatz
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
Fr. 5.90000
104'350 - Sofort
EPCEPC
1
917-1212-2-ND
917-1212-1-ND
917-1212-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V90 A (Ta)5V2,2mOhm bei 29A, 5V2,5V bei 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Fr. 5.34000
0 - Sofort
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
SCT2H12NYTBTR-ND
SCT2H12NYTBCT-ND
SCT2H12NYTBDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1700 V4 A (Tc)18V1,5Ohm bei 1,1A, 18V4V bei 410ĀµA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-44W (Tc)175Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageTO-268TO-268-3, DĀ³Pak (2 AnschlĆ¼sse+Fahne), TO-268AA
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
Fr. 6.07000
22'227 - Sofort
EPCEPC
1
917-1151-2-ND
917-1151-1-ND
917-1151-6-ND
eGaNĀ®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-ReelĀ®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)60 V31 A (Ta)-2,6mOhm bei 30A, 5V2,5V bei 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40Ā°C bis 150Ā°C (TJ)OberflƤchenmontageEinsatzEinsatz
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