Transistoren - IGBTs - Einzeln | DigiKey, ein Distributor elektronischer Komponenten

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Produktstatus	IGBT-Typ	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Leistung - Max.	Schaltenergie	Eingangstyp	Gate-Ladung	Td (on/off) bei 25°C	Testbedingung	Umkehrerholungszeit (trr)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

ISL9V5036S3ST IGBT 390V 46A 250W TO263AB onsemi	5'584 Vorrätig	1 : Fr. 4.03000 Gurtabschnitt (CT) 800 : Fr. 2.52318 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	EcoSPARK®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	-	390 V	46 A	-	1,6V bei 4V, 10A	250 W	-	Logik	32 nC	-/10,8µs	300V, 1kOhm, 5V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB	D²PAK (TO-263)
ISL9V5045S3ST IGBT 480V 51A TO263AB onsemi	5'156 Vorrätig	1 : Fr. 4.27000 Gurtabschnitt (CT) 800 : Fr. 2.67065 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	EcoSPARK®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	-	480 V	51 A	-	1,6V bei 4V, 10A	300 W	-	Logik	32 nC	-/10,8µs	300V, 1kOhm, 5V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB	D²PAK (TO-263)
FGH80N60FD2TU IGBT 600V 80A 290W TO247 onsemi	2'703 Vorrätig	1 : Fr. 5.12000 Stange	-	Stange	Aktiv	Feldblende	600 V	80 A	160 A	2,4V bei 15V, 40A	290 W	1mJ (Ein), 520µJ (Aus)	Standard	120 nC	21ns/126ns	400V, 40A, 10Ohm, 15V	61 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
FGH40N60SMDF IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 onsemi	784 Vorrätig	1 : Fr. 5.43000 Stange	-	Stange	Aktiv	Feldblende	600 V	80 A	120 A	2,5V bei 15V, 40A	349 W	1,3mJ (Ein), 260µJ (Aus)	Standard	119 nC	12ns/92ns	400V, 40A, 6Ohm, 15V	90 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
IGW25N120H3FKSA1 IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 Infineon Technologies	6'120 Vorrätig	1 : Fr. 5.62000 Stange	TrenchStop®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	50 A	100 A	2,4V bei 15V, 25A	326 W	2,65 mJ	Standard	115 nC	27ns/277ns	600V, 25A, 23Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
FGH60N60SMD IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 onsemi	0 Vorrätig	1 : Fr. 5.62000 Stange	-	Stange	Aktiv	Feldblende	600 V	120 A	180 A	2,5V bei 15V, 60A	600 W	1,26mJ (Ein), 450µJ (Aus)	Standard	189 nC	18ns/104ns	400V, 60A, 3Ohm, 15V	39 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
APT25GT120BRG IGBT 1200V 54A 347W TO247 Microchip Technology	1'976 Vorrätig	1 : Fr. 6.31000 Stange	Thunderbolt IGBT®	Stange	Aktiv	NPT	1200 V	54 A	75 A	3,7V bei 15V, 25A	347 W	930µJ (Ein), 720µJ (Aus)	Standard	170 nC	14ns/150ns	800V, 25A, 5Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 [B]
IGW40N120H3FKSA1 IGBT 1200V 80A 483W TO247-3 Infineon Technologies	1'017 Vorrätig	1 : Fr. 6.64000 Stange	TrenchStop®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	80 A	160 A	2,4V bei 15V, 40A	483 W	3,16 mJ	Standard	185 nC	30ns/290ns	600V, 40A, 12Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
APT50GS60BRDQ2G IGBT 600V 93A 415W TO247 Microchip Technology	6'147 Vorrätig	1 : Fr. 12.96000 Stange	Thunderbolt IGBT®	Stange	Aktiv	NPT	600 V	93 A	195 A	3,15V bei 15V, 50A	415 W	755µJ (Aus)	Standard	235 nC	16ns/225ns	400V, 40A, 4,7Ohm, 15V	25 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 [B]
IXBH16N170 IGBT 1700V 40A 250W TO247AD IXYS	260 Vorrätig	1 : Fr. 15.78000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	1700 V	40 A	120 A	3,3V bei 15V, 16A	250 W	-	Standard	72 nC	-	-	1.32 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD
IXBH42N170 IGBT 1700V 80A 360W TO247 IXYS	992 Vorrätig	1 : Fr. 27.07000 Lose im Beutel	BIMOSFET™	Lose im Beutel	Aktiv	-	1700 V	80 A	300 A	2,8V bei 15V, 42A	360 W	-	Standard	188 nC	-	-	1.32 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD
IXYX30N170CV1 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB IXYS	2'640 Vorrätig	1 : Fr. 24.12000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	1700 V	108 A	255 A	3,7V bei 15V, 30A	937 W	5,9mJ (Ein), 3,3mJ Aus)	Standard	140 nC	28ns/150ns	850V, 30A, 2,7Ohm, 15V	160 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	PLUS247™-3
IXYT25N250CHV IGBT 2500V 235A TO-268HV IXYS	924 Vorrätig	1 : Fr. 33.99000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	2500 V	95 A	235 A	4V bei 15V, 25A	937 W	8,3mJ (Ein), 7,3mJ (Aus)	Standard	147 nC	15ns/230ns	1250V, 25A, 5Ohm, 15V	34 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA	TO-268
IXXX300N60B3 IGBT 600V 550A 2300W TO247 IXYS	824 Vorrätig	1 : Fr. 32.41000 Stange	GenX3™, XPT™	Stange	Aktiv	PT	600 V	550 A	1140 A	1,6V bei 15V, 100A	2300 W	3,45mJ (Ein), 2,86mJ (Aus)	Standard	460 nC	50ns/190ns	400V, 100A, 1Ohm, 15V	-	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	PLUS247™-3
IXGK100N170 IGBT PT 1000V 120A TO-264 IXYS	641 Vorrätig	1 : Fr. 40.59000 Stange	-	Stange	Aktiv	-	1700 V	170 A	600 A	3V bei 15V, 100A	830 W	-	Standard	425 nC	35ns/285ns	850V, 100A, 1Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C	Durchkontaktierung	TO-264-3, TO-264AA	PLUS264™
IXBX25N250 IGBT 2500V 55A 300W PLUS247 IXYS	682 Vorrätig	1 : Fr. 40.90000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	2500 V	55 A	180 A	3,3V bei 15V, 25A	300 W	-	Standard	103 nC	-	-	1.6 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	PLUS247™-3
IXBK75N170 IGBT 1700V 200A 1040W TO264 IXYS	660 Vorrätig	1 : Fr. 60.52000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	1700 V	200 A	580 A	3,1V bei 15V, 75A	1040 W	-	Standard	350 nC	-	-	1.5 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-264-3, TO-264AA	TO-264AA
IXBH2N250 IGBT 2500V 5A 32W TO247 IXYS	610 Vorrätig	1 : Fr. 63.90000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	2500 V	5 A	13 A	3,5V bei 15V, 2A	32 W	-	Standard	10.6 nC	-	-	920 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD
IXYX40N450HV IGBT IXYS	346 Vorrätig	1 : Fr. 64.81000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	4500 V	95 A	350 A	3,9V bei 15V, 40A	660 W	-	Standard	170 nC	36ns/110ns	960V, 40A, 2Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	TO-247PLUS-HV
IXBX50N360HV IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS IXYS	921 Vorrätig	1 : Fr. 67.29000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	3600 V	125 A	420 A	2,9V bei 15V, 50A	660 W	-	Standard	210 nC	46ns/205ns	960V, 50A, 5Ohm, 15V	1.7 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	TO-247PLUS-HV
IXEL40N400 IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5 IXYS	169 Vorrätig	1 : Fr. 113.95000 Stange	-	Stange	Aktiv	-	4000 V	90 A	400 A	3,2V bei 15V, 40A	380 W	55mJ (Ein), 165mJ (Aus)	Standard	275 nC	160ns/630ns	2800V, 40A, 33Ohm, 15V	-	-40°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	ISOPLUSi5-Pak™	ISOPLUSi5-Pak™
IXBH20N360HV IGBT 3600V 70A TO-247HV IXYS	945 Vorrätig	1 : Fr. 119.50000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	3600 V	70 A	220 A	3,4V bei 15V, 20A	430 W	15,5mJ (Ein), 4,3mJ (Aus)	Standard	110 nC	18ns/238ns	1500V, 20A, 10Ohm, 15V	1.7 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	TO-247HV
RGPZ10BM40FHTL IGBT Rohm Semiconductor	4'668 Vorrätig	1 : Fr. 1.79000 Gurtabschnitt (CT) 2'500 : Fr. 0.86136 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Automotive, AEC-Q101	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	-	460 V	20 A	-	2,0V bei 5V, 10A	107 W	-	Standard	14 nC	500ns/4µs	300V, 8A, 100Ohm, 5V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63	TO-252
FGD3050G2 IGBT 500V 27A DPAK-3 onsemi	2'502 Vorrätig	1 : Fr. 2.04000 Gurtabschnitt (CT) 2'500 : Fr. 1.14191 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	-	500 V	32 A	-	1,2V bei 4V, 6A	150 W	-	Logik	22 nC	-	-	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63	D-PAK (TO-252)
IGW30N60TPXKSA1 IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3 Infineon Technologies	3'606 Vorrätig	1 : Fr. 2.64000 Stange	TrenchStop™	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	Trench Feldstopp	600 V	53 A	90 A	1,8V bei 15V, 30A	200 W	710µJ (Ein), 420µJ (Aus)	Standard	130 nC	15ns/179ns	400V, 30A, 10,5Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3

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Transistoren - IGBTs - Einzeln

Single IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are multilayered semiconductor devices with three terminals that can handle high currents and have fast switching features. They are characterized by type, collector-emitter breakdown voltage, collector current, pulsed collector current, VCE(ON), switching energy, and gate charge.

Transistoren - IGBTs - Einzeln

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