Transistoren - JFETs | DigiKey, ein Distributor elektronischer Komponenten

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Produktstatus	FET-Typ	Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)	Strom, Drain (Id) - max.	Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Widerstand - RDS(On)	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

2SK880-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	5'348 Vorrätig	1 : Fr. 0.60000 Gurtabschnitt (CT) 3'000 : Fr. 0.21169 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	USM
CPH3910-TL-E JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	14'916 Vorrätig	1 : Fr. 0.69000 Gurtabschnitt (CT) 3'000 : Fr. 0.26503 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	1.8 V @ 100 µA	6pF bei 5V	-	400 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
J109 JFET N-CH 25V 625MW TO92 onsemi	4'956 Vorrätig	1 : Fr. 0.53000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	25 V	-	40 mA @ 15 V	-	2 V @ 10 nA	-	12 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	2'728 Vorrätig	1 : Fr. 3.10000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF bei 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
MMBF4391LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	5'885 Vorrätig	1 : Fr. 0.39000 Gurtabschnitt (CT) 3'000 : Fr. 0.10933 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	30 V	30 V	50 mA @ 15 V	-	4 V @ 10 nA	14pF bei 15V	30 Ohms	225 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF5103 JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 onsemi	0 Vorrätig	1 : Fr. 0.41000 Gurtabschnitt (CT) 3'000 : Fr. 0.11637 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	10 mA @ 15 V	-	1.2 V @ 1 nA	16pF bei 15V	-	350 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	20'863 Vorrätig 16'000 Factory	1 : Fr. 0.43000 Gurtabschnitt (CT) 2'000 : Fr. 0.12078 Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
J112-D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	12'848 Vorrätig	1 : Fr. 0.44000 Gurtabschnitt (CT) 2'000 : Fr. 0.12518 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	7'100 Vorrätig	1 : Fr. 0.43000 Gurtabschnitt (CT) 3'000 : Fr. 0.15050 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	-	-	1.2 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	USM
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	3'258 Vorrätig	1 : Fr. 0.43000 Gurtabschnitt (CT) 3'000 : Fr. 0.15050 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	-	-	2.6 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	USM
J113-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	15'274 Vorrätig	1 : Fr. 0.43000 Gurtabschnitt (CT) 2'000 : Fr. 0.15050 Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
MMBFJ270 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 onsemi	0 Vorrätig	1 : Fr. 0.46000 Gurtabschnitt (CT) 3'000 : Fr. 0.16241 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 nA	-	-	225 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J175-D26Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3 onsemi	9'411 Vorrätig 144'000 Factory	1 : Fr. 0.55000 Gurtabschnitt (CT) 2'000 : Fr. 0.19532 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	P-Kanal	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	-	125 Ohms	350 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
NSVJ3910SB3T1G IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	14'681 Vorrätig	1 : Fr. 0.62000 Gurtabschnitt (CT) 3'000 : Fr. 0.24136 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Automotive, AEC-Q101	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	600 mV @ 100 µA	6pF bei 5V	-	400 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
J111 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	30'990 Vorrätig	1 : Fr. 0.42000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
J113 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	6'639 Vorrätig	1 : Fr. 0.43000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
J112 JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	8'808 Vorrätig	1 : Fr. 0.47000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
JFE150DCKR ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN Texas Instruments	7'801 Vorrätig 9'000 Factory	1 : Fr. 2.82000 Gurtabschnitt (CT) 3'000 : Fr. 1.57868 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	-	24pF bei 5V	-	-	-40°C bis 125°C (TA)	Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SC-70-5
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	12'718 Vorrätig	1 : Fr. 3.05000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF bei 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
2N4858A JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 Central Semiconductor Corp	2'186 Vorrätig	1 : Fr. 5.30000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	10pF bei 10V (VGS)	60 Ohms	360 mW	-65°C bis 200°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
UF3N170400B7S JFET 1700V SIC UnitedSiC	4'255 Vorrätig	1 : Fr. 9.20000 Gurtabschnitt (CT) 800 : Fr. 5.98694 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	1.7 V	1.7 V	2.2 µA @ 1.7 V	6.8 A	-	225pF bei 100V	500 mOhms	68 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N065080K3S 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	3'533 Vorrätig	1 : Fr. 8.48000 Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF bei 100V	95 mOhms	190 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120070K3S 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	4'378 Vorrätig	1 : Fr. 15.46000 Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF bei 100V	90 mOhms	254 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N065025K3S 650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	859 Vorrätig	1 : Fr. 19.86000 Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	650 V	650 V	-	85 A	-	2360pF bei 100V	33 mOhms	441 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120035K3S 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	1'592 Vorrätig	1 : Fr. 28.42000 Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF bei 100V	45 mOhms	429 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3

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Transistoren - JFETs

Junction gate field-effect transistors (JFET) are devices used as electronically-controlled switches, amplifiers, or voltage-controlled resistors. A potential difference of the proper polarity applied between the gate and source terminals increases resistance to current flow, which means less current would flow in the channel between the source and drain terminals. JFETs do not need a biasing current due to a charge flowing through a semiconducting channel between source and drain terminals.

Transistoren - JFETs

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