Transistoren - JFETs

Resultate : 707
Hersteller
Central Semiconductor CorpInfineon TechnologiesLinear Integrated Systems, Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics America IncRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageUnitedSiC
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Serie
-*Automotive, AEC-Q101Military, MIL-PRF-19500Military, MIL-PRF-19500/295Military, MIL-PRF-19500/375Military, MIL-PRF-19500/385Military, MIL-PRF-19500/431
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Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablettTasche
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Status der Komponente
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichObsolet
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FET-Typ
2 N-Kanal (zweifach)-N-KanalP-Kanal
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Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V650 V1200 V1700 V
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
0.6 V15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V650 V1200 V1700 V
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Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1200 V2.2 µA @ 1700 V3.3 µA @ 1200 V5 µA @ 1200 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V
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Strom, Drain (Id) - max.
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA20 mA30 mA50 mA6.8 A26 A32 A
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Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 10 nA300 mV @ 100 nA300 mV @ 100 µA400 mV @ 100 nA
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Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
0,7pF bei 10V1pF bei 10V1,7pF bei 10V2,2pF bei 15V3pF bei 10V3,1pF bei 2V3,5pF bei 2V3,5pF bei 5V4pF bei 10V4pF bei 15V4,1pF bei 5V4,5pF bei 15V4,9pF bei 5V
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Widerstand - RDS(On)
33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms500 mOhms3 Ohms5 Ohms6 Ohms
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Leistung - Max.
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW
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Betriebstemperatur
-65°C bis 135°C (TJ)-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-65°C bis 200°C (TJ)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 200°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (TA)-40°C bis 125°C (TJ)-40°C bis 85°C (TA)-20°C bis 80°C (TA)125°C (TJ)
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Montagetyp
-DurchkontaktierungOberflächenmontage
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Gehäuse / Hülle
3-SMD, flacher Anschluss3-SMD, ohne Anschlüsse3-SSIP3-XFDFN4-SMD, ohne Anschlüsse5-SMD, flache Anschlüsse5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-3638-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)-EinsatzSC-70, SOT-323SC-72
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Gehäusetyp vom Lieferanten
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3,09x2,45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP8-SOIC
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Lagerungsoptionen
Medien
Umweltschutzoptionen
MARKTPLATZPRODUKT
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Herst.-Teilenr.
Preis
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Herst.
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DK-Teilenr.
Serie
Gehäuse
Status der Komponente
FET-Typ
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
Strom, Drain (Id) - max.
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Widerstand - RDS(On)
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
Fr. 0.57000
26'885 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-Y(TE85LF)TR-ND
2SK880-Y(TE85LF)CT-ND
2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
SOT-23 SERIES
CMPF4393 TR PBFREE
JFET N-CH 40V 50MA SOT23
Fr. 1.00000
8'174 - Sofort
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-CMPF4393TRPBFREETR-ND
1514-CMPF4393TRPBFREECT-ND
1514-CMPF4393TRPBFREEDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal40 V40 V5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF bei 20V100 Ohms350 mW-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
Fr. 2.89000
13'213 - Sofort
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4392PBFREE-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF bei 20V60 Ohms1.8 W-65°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
TO-92-3 Formed Leads
J111-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Fr. 0.39000
7'131 - Sofort
onsemionsemi
1
J111-D26ZTR-ND
J111-D26ZCT-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Fr. 0.40000
18'221 - Sofort
onsemionsemi
1
J113-D74ZCT-ND
J113-D74ZTB-ND
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MMBFU310LT1G
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
Fr. 0.42000
4'837 - Sofort
33'000 - Hersteller
onsemionsemi
1
MMBFU310LT1GOSTR-ND
MMBFU310LT1GOSCT-ND
MMBFU310LT1GOSDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal25 V25 V24 mA @ 10 V-2.5 V @ 1 nA5pF bei 10V (VGS)-225 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SOT-23-3
2SK208-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V S-MINI
Fr. 0.48000
5'348 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK208-Y(TE85LF)TR-ND
2SK208-Y(TE85LF)CT-ND
2SK208-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-1.2 mA @ 10 V6.5 mA400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3S-Mini
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
Fr. 0.40000
8'269 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-Y(TE85LF)TR-ND
2SK879-Y(TE85LF)CT-ND
2SK879-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal--1.2 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
Fr. 0.40000
4'978 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-GR(TE85LF)TR-ND
2SK879-GR(TE85LF)CT-ND
2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880GRTE85LF
JFET N-CH 50V 0.1W USM
Fr. 0.57000
3'053 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880GRTE85LFTR-ND
2SK880GRTE85LFCT-ND
2SK880GRTE85LFDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-2.6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323SC-70
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-BL(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
Fr. 0.57000
3'715 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-BL(TE85LF)TR-ND
2SK880-BL(TE85LF)CT-ND
2SK880-BL(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323SC-70
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Fr. 0.57000
5'862 - Sofort
onsemionsemi
1
NSVJ3910SB3T1GOSTR-ND
NSVJ3910SB3T1GOSCT-ND
NSVJ3910SB3T1GOSDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF bei 5V-400 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
SC-74A, SOT-753
2SK2145-BL(TE85L,F
JFET N-CH 50V SMV
Fr. 0.65000
4'370 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK2145-BL(TE85LFTR-ND
2SK2145-BL(TE85LFCT-ND
2SK2145-BL(TE85LFDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)--6 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF bei 10V-300 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-74A, SOT-753SMV
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
Fr. 0.40000
1'961 - Sofort
onsemionsemi
1
J113FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Fr. 0.43000
7'143 - Sofort
onsemionsemi
1
J112FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
Fr. 0.44000
4'131 - Sofort
onsemionsemi
1
J109FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
Fr. 0.46000
38'473 - Sofort
50'000 - Hersteller
onsemionsemi
1
J111FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
Fr. 4.41000
2'000 - Sofort
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
2N4858A-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF bei 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C bis 200°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
Fr. 16.37000
366 - Sofort
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N065025K3S-ND
-
Stange
AktivN-Kanal650 V650 V-85 A-2360pF bei 100V33 mOhms441 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
UF3N170400B7S
UF3N170400B7S
JFET 1700V SIC
Fr. 6.46000
1'587 - Sofort
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UF3N170400B7STR-ND
2312-UF3N170400B7SCT-ND
2312-UF3N170400B7SDKR-ND
*
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal1700 V1700 V2.2 µA @ 1700 V6.8 A-225pF bei 100V500 mOhms68 W-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageTO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CAD2PAK-7
TO-92-3 Formed Leads
J112-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
Fr. 0.38000
1'581 - Sofort
onsemionsemi
1
J112-D26ZTR-ND
J112-D26ZCT-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Fr. 0.41000
3'592 - Sofort
48'000 - Hersteller
onsemionsemi
1
J112-D74ZCT-ND
J112-D74ZTB-ND
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J111-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
Fr. 0.43000
1'047 - Sofort
36'000 - Hersteller
onsemionsemi
1
J111-D74ZCT-ND
J111-D74ZTB-ND
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SOT-23-3
2SK208-O(TE85L,F)
JFET N-CH 50V SC59
Fr. 0.48000
2'743 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK208-O(TE85LF)TR-ND
2SK208-O(TE85LF)CT-ND
2SK208-O(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-600 µA @ 10 V6.5 mA400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
SOT-23-3
2SK11030QL
JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
Fr. 0.50000
2'822 - Sofort
Panasonic Electronic ComponentsPanasonic Electronic Components
1
Nicht auf Lager
2SK11030QLTR-ND
2SK11030QLCT-ND
2SK11030QLDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
ObsoletN-Kanal--600 µA @ 10 V20 mA1.5 V @ 10 µA7pF bei 10V300 Ohms150 mW150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Mini3-G1
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