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Gehäuse
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FET-Typ
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
Strom, Drain (Id) - max.
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Widerstand - RDS(On)
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
5'348
Vorrätig
1 : Fr. 0.60000
Gurtabschnitt (CT)
3'000 : Fr. 0.21169
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
SOT-23-3
CPH3910-TL-E
JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
onsemi
14'916
Vorrätig
1 : Fr. 0.69000
Gurtabschnitt (CT)
3'000 : Fr. 0.26503
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA1.8 V @ 100 µA6pF bei 5V-400 mW150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
onsemi
4'956
Vorrätig
1 : Fr. 0.53000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
2'728
Vorrätig
1 : Fr. 3.10000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF bei 20V100 Ohms1.8 W-65°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MMBF4391LT1G
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
onsemi
5'885
Vorrätig
1 : Fr. 0.39000
Gurtabschnitt (CT)
3'000 : Fr. 0.10933
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal30 V30 V50 mA @ 15 V-4 V @ 10 nA14pF bei 15V30 Ohms225 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SOT-23-3
MMBF5103
JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
onsemi
0
Vorrätig
1 : Fr. 0.41000
Gurtabschnitt (CT)
3'000 : Fr. 0.11637
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal40 V-10 mA @ 15 V-1.2 V @ 1 nA16pF bei 15V-350 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
TO-92-3 Formed Leads
J111-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
20'863
Vorrätig
16'000
Factory
1 : Fr. 0.43000
Gurtabschnitt (CT)
2'000 : Fr. 0.12078
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
12'848
Vorrätig
1 : Fr. 0.44000
Gurtabschnitt (CT)
2'000 : Fr. 0.12518
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
7'100
Vorrätig
1 : Fr. 0.43000
Gurtabschnitt (CT)
3'000 : Fr. 0.15050
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal--1.2 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
3'258
Vorrätig
1 : Fr. 0.43000
Gurtabschnitt (CT)
3'000 : Fr. 0.15050
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
onsemi
15'274
Vorrätig
1 : Fr. 0.43000
Gurtabschnitt (CT)
2'000 : Fr. 0.15050
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SOT-23-3
MMBFJ270
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
onsemi
0
Vorrätig
1 : Fr. 0.46000
Gurtabschnitt (CT)
3'000 : Fr. 0.16241
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-Kanal30 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 nA--225 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
TO-92-3 Formed Leads
J175-D26Z
JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3
onsemi
9'411
Vorrätig
144'000
Factory
1 : Fr. 0.55000
Gurtabschnitt (CT)
2'000 : Fr. 0.19532
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivP-Kanal30 V-7 mA @ 15 V-3 V @ 10 nA-125 Ohms350 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
onsemi
14'681
Vorrätig
1 : Fr. 0.62000
Gurtabschnitt (CT)
3'000 : Fr. 0.24136
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF bei 5V-400 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
30'990
Vorrätig
1 : Fr. 0.42000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
6'639
Vorrätig
1 : Fr. 0.43000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
onsemi
8'808
Vorrätig
1 : Fr. 0.47000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
SC70-5
JFE150DCKR
ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN
Texas Instruments
7'801
Vorrätig
9'000
Factory
1 : Fr. 2.82000
Gurtabschnitt (CT)
3'000 : Fr. 1.57868
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal40 V40 V24 mA @ 10 V50 mA-24pF bei 5V---40°C bis 125°C (TA)Oberflächenmontage5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SC-70-5
12'718
Vorrätig
1 : Fr. 3.05000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF bei 20V60 Ohms1.8 W-65°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
Central Semiconductor Corp
2'186
Vorrätig
1 : Fr. 5.30000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF bei 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C bis 200°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
4'255
Vorrätig
1 : Fr. 9.20000
Gurtabschnitt (CT)
800 : Fr. 5.98694
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal1.7 V1.7 V2.2 µA @ 1.7 V6.8 A-225pF bei 100V500 mOhms68 W-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageTO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CAD2PAK-7
UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S
650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
UnitedSiC
3'533
Vorrätig
1 : Fr. 8.48000
Stange
-
Stange
AktivN-Kanal650 V650 V-32 A-630pF bei 100V95 mOhms190 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
UJ3N120070K3S
UJ3N120070K3S
1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
UnitedSiC
4'378
Vorrätig
1 : Fr. 15.46000
Stange
-
Stange
AktivN-Kanal1200 V1200 V-33.5 A-985pF bei 100V90 mOhms254 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
UnitedSiC
859
Vorrätig
1 : Fr. 19.86000
Stange
-
Stange
AktivN-Kanal650 V650 V-85 A-2360pF bei 100V33 mOhms441 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S
1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
UnitedSiC
1'592
Vorrätig
1 : Fr. 28.42000
Stange
-
Stange
AktivN-Kanal1200 V1200 V-63 A-2145pF bei 100V45 mOhms429 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
Angezeigt werden
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Transistoren - JFETs


Junction gate field-effect transistors (JFET) are devices used as electronically-controlled switches, amplifiers, or voltage-controlled resistors. A potential difference of the proper polarity applied between the gate and source terminals increases resistance to current flow, which means less current would flow in the channel between the source and drain terminals. JFETs do not need a biasing current due to a charge flowing through a semiconducting channel between source and drain terminals.