FET- und MOSFET-Arrays

Resultate : 5’262
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCGeneSiC Semiconductor
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Verpackung
BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiCFET (Siliziumkarbid)Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N- und 2 P-Kanal2 N- und 2 P-Kanal (Vollbrücke)2 N- und 2 P-Kanal abgestimmtes Paar2 N-Kanal (Dual), P-Kanal2 N-kanal (dual), schottky2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (kaskodiert)2 N-Kanal (Phasenabschnitt)2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin
FET-Merkmal
-Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 1,8VLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4,5VLogikpegel-Gatter, 4VLogikpegel-Gatter, 5VMit VerarmungsschichtSiliziumkarbid (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,46mOhm bei 160A, 12V0,762mOhm bei 160A, 12V0,765mOhm bei 160A, 12V, 0,580mOhm bei 160A, 12V0,765mOhm bei 160A, 12V, 0,710mOhm bei 160A, 12V0,8mOhm bei 1200A, 10V0,88mOhm bei 160A, 14V, 0,71mOhm bei 160A, 14V0,88mOhm bei 50A, 10V0,95mOhm bei 30A, 10V0,95mOhm bei 8A, 4,5V0,99mOhm bei 80A, 10V, 1,35mOhm bei 80A, 10V1,039mOhm bei 160A, 12V, 762µOhm bei 160A, 12V1,15mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
10mV bei 10µA10mV bei 1µA10mV bei 20µA20mV bei 10µA20mV bei 1µA20mV bei 20µA180mV bei 1µA220mV bei 1µA360mV bei 1µA380mV bei 1µA400mV bei 250µA (Min)420mV bei 1µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,4pC bei 4,5V, 7,3nC bei 4,5V0,45 pC bei 4,5V50pC bei 4,5V0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,26nC bei 2,5V0,28nC bei 4,5V0,28nC bei 4,5V, 0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V, 0,28nC bei 4,5V0,304nC bei 4,5V0,31nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V3pF bei 5V6pF bei 3V6,2pF bei 10V6,6pF bei 10V7pF bei 10V7pF bei 3V7,1pF bei 10V7,4pF bei 10V7,5pF bei 10V8,5pF bei 3V9pF @ 30V
Leistung - Max.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN mit freiliegendem Pad4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-Chip-LGA (1,59 x 1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
5’262Resultate

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von 5’262
Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Technologie
Konfiguration
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
338’452
Vorrätig
1 : Fr. 0.12000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03022
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
60V
300mA
1,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0,6nC bei 4,5V
40pF bei 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
113’535
Vorrätig
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.04742
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
60V
230mA
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2V bei 250µA
-
50pF bei 25V
310mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
54’649
Vorrätig
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.04734
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gatter, 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm bei 800mA, 4,5V, 390mOhm bei 800mA, 4,5V
1V bei 1mA
1nC bei 10V
55pF bei 10V, 100pF bei 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
1’978
Vorrätig
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.04661
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
320mA
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0,8nC bei 4,5V
50pF bei 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q100
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
190’573
Vorrätig
1 : Fr. 0.19000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05046
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm bei 100mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
12pF bei 10V
300mW
150°C
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6-XFDFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
37’245
Vorrätig
1 : Fr. 0.19000
Gurtabschnitt (CT)
5’000 : Fr. 0.04737
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
1 : Fr. 0.23000
Gurtabschnitt (CT)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
600mA
620mOhm bei 600mA, 4,5V
950mV bei 250µA
0,7nC bei 4,5V
21,3pF bei 10V
265mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-XFDFN mit freiliegendem Pad
DFN1010B-6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
4’848
Vorrätig
1 : Fr. 0.20000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05437
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
300mA
3Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0,6nC bei 10V
20pF bei 25V
500mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
140’621
Vorrätig
1 : Fr. 0.21000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.05313
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
30V
100mA
4Ohm bei 10mA, 4V
1,5V bei 100µA
-
8,5pF bei 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
318’342
Vorrätig
1 : Fr. 0.22000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05745
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
320mA
1,6Ohm bei 300mA, 10V
1,5V bei 250µA
0,8nC bei 4,5V
50pF bei 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
48’979
Vorrätig
1’290’000
Fabrik
1 : Fr. 0.23000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05995
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
20V
1,07A, 845mA
450mOhm bei 600mA, 4,5V
1V bei 250µA
0,74nC bei 4,5V
60,67pF bei 10V
330mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
742’952
Vorrätig
1 : Fr. 0.24000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05232
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
25pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
335’867
Vorrätig
1 : Fr. 0.24000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06658
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
26pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
163’795
Vorrätig
1 : Fr. 0.24000
Gurtabschnitt (CT)
8’000 : Fr. 0.05876
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
26pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
99’345
Vorrätig
3’012’000
Fabrik
1 : Fr. 0.24000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06528
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gatter, 4,5V
30V
3,4 A, 2,8 A
60mOhm bei 3,1A, 10V
2,3V bei 250µA
13nC bei 10V
400pF bei 15V
840mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
6’168
Vorrätig
2’505’000
Fabrik
1 : Fr. 0.24000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06608
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
30V
3,8 A, 2,5 A
55mOhm bei 3,4A, 10V
1,5V bei 250µA
12,3nC bei 10V
422pF bei 15V
850mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSOT-26
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
130’063
Vorrätig
1 : Fr. 0.27000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07222
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
880mA
400mOhm bei 880mA, 2,5V
750mV bei 1,6µA
0,26nC bei 2,5V
78pF bei 10V
500mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
PMBT2222AYS-QX
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68’880
Vorrätig
1 : Fr. 0.27000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07305
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
860mA
350mOhm bei 200mA, 4,5V
1,5V bei 250µA
0,72nC bei 4,5V
34pF bei 20V
410mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PEMD4-QX
2N7002BKV,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Nexperia USA Inc.
34’758
Vorrätig
1 : Fr. 0.27000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.07083
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
340mA
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,1V bei 250µA
0,6nC bei 4,5V
50pF bei 10V
350mW
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
454’072
Vorrätig
1 : Fr. 0.28000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.07297
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
20V
540mA
550mOhm bei 540mA, 4,5V
1V bei 250µA
2,5nC bei 4,5V
150pF bei 16V
250mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
94’193
Vorrätig
1 : Fr. 0.28000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07626
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
115mA
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2V bei 250µA
-
50pF bei 25V
200mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
28’678
Vorrätig
1 : Fr. 0.28000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07608
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
630mA
375mOhm bei 630mA, 4,5V
1,5V bei 250µA
3nC bei 4,5V
46pF bei 20V
270mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
20’395
Vorrätig
1 : Fr. 0.28000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.07209
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gatter, 1,5V
20V
800mA (Ta), 720mA (Ta)
240mOhm bei 500mA, 4,5V, 300mOhm bei 400mA, 4,5V
1V bei 1mA
2nC bei 4,5V, 1,76nC bei 4,5V
90pF bei 10V, 110pF bei 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
ES6
PG-SOT363-PO
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
35’474
Vorrätig
1 : Fr. 0.29000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07804
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
950mA
350mOhm bei 950mA, 4,5V
1,2V bei 1,6µA
0,32nC bei 4,5V
63pF bei 10V
500mW
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
34’436
Vorrätig
1 : Fr. 0.29000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07704
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
30V
400mA, 200mA
700mOhm bei 200mA, 10V
1,8V bei 100µA
-
20pF bei 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PEMD4-QX
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
76’474
Vorrätig
1 : Fr. 0.29000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.07799
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
800mA
380mOhm bei 500mA, 4,5V
950mV bei 250µA
0,68nC bei 4,5V
83pF bei 10V
500mW
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-666
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von 5’262

FET- und MOSFET-Arrays


Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.