DMG4N60SK3-13 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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2DB1184Q-13
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2DB1184Q-13
TO-252-3

DMG4N60SK3-13

Numéro de produit DigiKey
DMG4N60SK3-13DITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DMG4N60SK3-13
Description
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 3,7 A (Tc) 48W (Ta) Montage en surface TO-252-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,3ohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
532 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
48W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252-3
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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