Name: FDS6675BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS6675BZTR-ND
Price: 0.76751 CHF
Availability: InStock

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FDS6675BZ
Numéro de produit DigiKey	FDS6675BZTR-ND - Bande et bobine FDS6675BZCT-ND - Bande coupée (CT) FDS6675BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS6675BZ
Description	MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 11 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDS6675BZ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	13mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2470 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	FDS6675