Name: GC20N65F
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC20N65F-ND
Price: 4.01051 CHF
Availability: InStock

Canal N 650 V 20 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220F

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GC20N65F
Numéro de produit DigiKey	3141-GC20N65F-ND
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	GC20N65F
Description	N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 20 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220F
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 10A, 10V
Fabricant Goford Semiconductor	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série SuperJunction	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1603 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 40W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-220F
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier Boîtier complet TO-220-3

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.71000	Fr. 3.71
10	Fr. 2.44800	Fr. 24.48
100	Fr. 1.73130	Fr. 173.13
500	Fr. 1.42584	Fr. 712.92
1’000	Fr. 1.32773	Fr. 1’327.73
2’000	Fr. 1.24528	Fr. 2’490.56
5’000	Fr. 1.21816	Fr. 6’090.80

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.