AUIRFR540ZTRL Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

Canal N 100 V 35 A (Tc) 91W (Tc) Montage en surface DPAK

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AUIRFR540ZTRL
Numéro de produit DigiKey	448-AUIRFR540ZTRLTR-ND - Bande et bobine 448-AUIRFR540ZTRLCT-ND - Bande coupée (CT) 448-AUIRFR540ZTRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AUIRFR540ZTRL
Description	MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 35 A (Tc) 91W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 59 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série HEXFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1690 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 91W (Tc)
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35 A (Tc)	Boîtier fournisseur DPAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 28,5mohms à 21A, 10V	Numéro de produit de base AUIRFR540
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 50µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDD3672	onsemi	11’667	FDD3672CT-ND	Fr. 2.02000	Similaire
IXTY44N10T	IXYS	424	238-IXTY44N10T-ND	Fr. 3.05000	Similaire
SUD35N10-26P-E3	Vishay Siliconix	9	SUD35N10-26P-E3CT-ND	Fr. 2.27000	Similaire

En stock: 60

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Quantité

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