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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPP65R190C6XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPP65R190C6XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP65R190C6XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP65R190C6XKSA1 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 730µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 73 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1620 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 151W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 7,3 A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Similaire |
| FCP20N60 | onsemi | 1’678 | FCP20N60-ND | Fr. 5.02000 | Similaire |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 851 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | Fr. 4.14000 | Similaire |
| STP20N65M5 | STMicroelectronics | 670 | 497-13538-ND | Fr. 3.33000 | Similaire |
| STP24N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-13556-5-ND | Fr. 2.89000 | Similaire |
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 500 | Fr. 1.35662 | Fr. 678.31 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.35662 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.46651 |
