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IPW65R190E6FKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPW65R190E6FKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPW65R190E6FKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPW65R190E6FKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 730µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 73 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1620 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 151W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 7,3 A, 10V |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | Fr. 3.01000 | Similaire |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | Fr. 5.82000 | Similaire |
| SIHG24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG24N65E-E3-ND | Fr. 2.63926 | Similaire |
| STW24N60M2 | STMicroelectronics | 600 | 497-13594-5-ND | Fr. 2.92000 | Similaire |
| STW26NM60N | STMicroelectronics | 323 | 497-9066-5-ND | Fr. 6.50000 | Similaire |
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