PSMN6R9-100YSFX Nexperia USA Inc. | Produits semi-conducteurs discrets

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PSMN6R9-100YSFX
Numéro de produit DigiKey	1727-PSMN6R9-100YSFXTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN6R9-100YSFX
Description	MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 100 A (Tc) 238W Montage en surface LFPAK56, Power-SO8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	PSMN6R9-100YSFX Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	50.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	238W
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Boîtier	SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base	PSMN6R9