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PMT200EN,115 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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PMT200EN,115 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | PMT200EN,115-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | PMT200EN,115 |
Description | MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 1,8 A (Ta) 800mW (Ta), 8,3W (Tc) Montage en surface SC-73 |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 475 pF @ 80 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 800mW (Ta), 8,3W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur SC-73 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 235mohms à 1,5A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BSP372NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 65’384 | BSP372NH6327XTSA1CT-ND | Fr. 1.08000 | Similaire |
| DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN10H220LE-13DICT-ND | Fr. 0.83000 | Similaire |
| STN2NF10 | STMicroelectronics | 9’421 | 497-8023-1-ND | Fr. 1.32000 | Similaire |
| ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | 0 | ZXMN10A08GCT-ND | Fr. 1.08000 | Similaire |
Obsolète
