2SK545-11D-TB-E est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Recommandation fabricant


onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.55000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 54
Prix unitaire : Fr. 0.44000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 1’364
Prix unitaire : Fr. 0.37000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 11’995
Prix unitaire : Fr. 0.53000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 44’878
Prix unitaire : Fr. 0.43000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 41’544
Prix unitaire : Fr. 0.45000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 9’263
Prix unitaire : Fr. 0.37000
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 21’813
Prix unitaire : Fr. 0.51000
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 42’323
Prix unitaire : Fr. 0.51000
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 14’452
Prix unitaire : Fr. 0.55000
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 1’913
Prix unitaire : Fr. 0.51000
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 37’462
Prix unitaire : Fr. 0.58000
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 34’731
Prix unitaire : Fr. 0.61000
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 9’712
Prix unitaire : Fr. 0.61000
Fiche technique
JFET Canal N 1 mA 125 mW Montage en surface SMCP
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

2SK545-11D-TB-E

Numéro de produit DigiKey
2SK545-11D-TB-EOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
2SK545-11D-TB-E
Description
JFET N-CH 1MA SMCP
Référence client
Description détaillée
JFET Canal N 1 mA 125 mW Montage en surface SMCP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
2SK545-11D-TB-E Modèles
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Tension - Blocage (VGS off) à Id
1.5 V @ 1 µA
Fabricant
onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1,7pF à 10V
Conditionnement
Bande et bobine
Puissance - Max.
125 mW
Statut du composant
Obsolète
Type de montage
Montage en surface
Type de FET
Canal N
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Boîtier fournisseur
SMCP
Courant - Drain (Idss) à Vds (Vgs=0)
60 µA @ 10 V
Numéro de produit de base
Drain de courant (Id) - Max.
1 mA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (14)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
MMBF4117onsemi0MMBF4117CT-NDFr. 0.55000Recommandation fabricant
BSR57onsemi54BSR57CT-NDFr. 0.44000Similaire
BSR58onsemi1’364BSR58CT-NDFr. 0.37000Similaire
MMBF4093onsemi11’995MMBF4093CT-NDFr. 0.53000Similaire
MMBF5103onsemi44’878MMBF5103CT-NDFr. 0.43000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.
Non annulable/Non remboursable