3LP01M-TL-E onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

3LP01M-TL-E est obsolète et n'est plus fabriqué.

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

3LP01M-TL-E
Numéro de produit DigiKey	3LP01M-TL-E-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	3LP01M-TL-E
Description	MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montage en surface MCP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	3LP01M-TL-E Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10,4ohms à 50mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.43 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7.5 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	150mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	MCP
Boîtier	SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base	3LP01