MCH3376-TL-E onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

MCH3376-TL-E est obsolète et n'est plus fabriqué.

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onsemi

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MCH3376-TL-E
Numéro de produit DigiKey	MCH3376-TL-E-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MCH3376-TL-E
Description	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3MCPH
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 1,5 A (Ta) 800mW (Ta) Montage en surface 3-MCPH
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MCH3376-TL-E Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	241mohms à 750mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	120 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	800mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	3-MCPH
Boîtier	SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base	MCH3376