NTLGD3502NT2G
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NTLGD3502NT2G

Numéro de produit DigiKey
NTLGD3502NT2G-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTLGD3502NT2G
Description
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 20V 4,3 A, 3,6 A 1,74W Montage en surface 6-DFN (3x3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTLGD3502NT2G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4,3 A, 3,6 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
60mohms à 4,3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
4nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
480pF à 10V
Puissance - Max.
1,74W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
6-VDFN plot exposé
Boîtier fournisseur
6-DFN (3x3)
Numéro de produit de base
NTLGD3502
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