Name: RQ3P270BKFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P270BKFRATCBTR-ND
Price: 1.82689 CHF
Availability: InStock

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RQ3P270BKFRATCB
Numéro de produit DigiKey	846-RQ3P270BKFRATCBTR-ND - Bande et bobine 846-RQ3P270BKFRATCBCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RQ3P270BKFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3P270BKFRATCB
Description	NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 27 A (Tc) 69W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13.6 nC @ 10 V
Fabricant Rohm Semiconductor	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 670 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 69W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 27 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur 8-HSMT (3,2x3)
Rds On (max.) à Id, Vgs 27mohms à 27A, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1,6mA