Name: TK7A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7A60WS4VX-ND
Price: 2.19443 CHF
Availability: InStock

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TK7A60W,S4VX
Numéro de produit DigiKey	TK7A60WS4VX-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK7A60W,S4VX
Description	MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 7 A (Ta) 30W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK7A60W,S4VX Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	600mohms à 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 350µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	490 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK7A60

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.03000	Fr. 2.03
50	Fr. 0.96700	Fr. 48.35
100	Fr. 0.89760	Fr. 89.76
500	Fr. 0.73368	Fr. 366.84
1’000	Fr. 0.65942	Fr. 659.42
2’000	Fr. 0.62813	Fr. 1’256.26
5’000	Fr. 0.62000	Fr. 3’100.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.