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BZT52C9V1-HE3-18 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BZT52C9V1-HE3-18 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BZT52C9V1-HE3-18GITR-ND - Bande et bobine BZT52C9V1-HE3-18GICT-ND - Bande coupée (CT) BZT52C9V1-HE3-18GIDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BZT52C9V1-HE3-18 |
Description | DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123 |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 9.1 V 410 mW ±5% Montage en surface SOD-123 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 100 nA @ 7 V |
Fabricant | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C |
Série | Grade Automobile |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Qualification AEC-Q101 |
Statut du composant Obsolète | Type de montage Montage en surface |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Boîtier |
Tolérance ±5% | Boîtier fournisseur SOD-123 |
Puissance - Max. 410 mW | Numéro de produit de base |
Impédance (max.) (Zzt) 10 Ohms |
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Ressources supplémentaires
Substituts (13)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52C9V1-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52C9V1-HE3_A-18TR-ND | Fr. 0.05257 | Recommandation fabricant |
| BZT52C9V1-7-F | Diodes Incorporated | 686’597 | BZT52C9V1-FDICT-ND | Fr. 0.16000 | Similaire |
| BZT52C9V1T-7 | Diodes Incorporated | 1’821 | BZT52C9V1TDICT-ND | Fr. 0.19000 | Similaire |
| BZV55C10 | Microchip Technology | 187 | BZV55C10-ND | Fr. 3.30000 | Similaire |
| BZV55C9V1 | Microchip Technology | 0 | BZV55C9V1-ND | Fr. 3.52701 | Similaire |
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