Name: SI2369DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2369DS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.71346 CHF
Availability: InStock

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SI2369DS-T1-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI2369DS-T1-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI2369DS-T1-BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI2369DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2369DS-T1-BE3
Description	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 5,4A (Ta), 7,6A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1295 pF @ 15 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,4A (Ta), 7,6A (Tc)	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 5,4A, 10V

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