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SIHP18N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHP18N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHP18N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHP18N60E-GE3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 92 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1640 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 179W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 202mohms à 9A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TK17E65W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 23 | TK17E65WS1X-ND | Fr. 4.04000 | Direct |
| AOT25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1514-5-ND | Fr. 2.04182 | Similaire |
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 37 | IPP60R180C7XKSA1-ND | Fr. 3.31000 | Similaire |
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R190E6XKSA1-ND | Fr. 1.33324 | Similaire |
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | 1’480 | 448-SPP20N60S5XKSA1-ND | Fr. 4.73000 | Similaire |
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Quantité
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.34362 | Fr. 1’343.62 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.34362 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.45245 |
