Name: SQ4949EY-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ4949EY-T1_BE3TR-ND
Price: 1.96742 CHF
Availability: InStock

MOSFET - Matrices 30V 7,5 A (Tc) 3,3W (Tc) Montage en surface 8-SOIC

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SQ4949EY-T1_BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQ4949EY-T1_BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQ4949EY-T1_BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQ4949EY-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ4949EY-T1_BE3
Description	MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 7,5 A (Tc) 3,3W (Tc) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1020pF à 25V
Série TrenchFET®	Puissance - Max. 3,3W (Tc)
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Configuration 2 canaux P (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,5 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Rds On (max.) à Id, Vgs 35mohms à 5,9A, 10V	Numéro de produit de base SQ4949
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA

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Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SQ4949CEY-T1_GE3	Vishay Siliconix	2’500	742-SQ4949CEY-T1_GE3CT-ND	Fr. 1.08000	Recommandation fabricant
SQ4949EY-T1_GE3	Vishay Siliconix	44’468	SQ4949EY-T1_GE3CT-ND	Fr. 1.95000	Équivalent paramétrique

En stock: 2’397

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Date de dernière disponibilité : 16/11/2026

Quantité

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