
SQJ202EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SQJ202EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJ202EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJ202EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ202EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 12V 20A, 60A 27W, 48W Montage en surface PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ202EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 975pF à 6V |
Série | Puissance - Max. 27W, 48W |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 12V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A, 60A | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,5mohms à 15A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.67000 | Fr. 1.67 |
| 10 | Fr. 1.06600 | Fr. 10.66 |
| 100 | Fr. 0.72000 | Fr. 72.00 |
| 500 | Fr. 0.57180 | Fr. 285.90 |
| 1’000 | Fr. 0.52415 | Fr. 524.15 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.46368 | Fr. 1’391.04 |
| 6’000 | Fr. 0.43325 | Fr. 2’599.50 |
| 9’000 | Fr. 0.41776 | Fr. 3’759.84 |
| 15’000 | Fr. 0.41005 | Fr. 6’150.75 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.67000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.80527 |

