
SQJ244EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ244EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ244EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ244EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ244EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 20 A (Tc), 60 A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ244EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 10V, 45nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200pF à 25V, 2800pF à 25V |
Série | Puissance - Max. 27W (Tc), 48W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 à canal N (double), asymétriques | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 40V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc), 60 A (Tc) | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Rds On (max.) à Id, Vgs 11mohms à 4A, 10V, 4,5mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.69000 | Fr. 1.69 |
| 10 | Fr. 1.08000 | Fr. 10.80 |
| 100 | Fr. 0.72970 | Fr. 72.97 |
| 500 | Fr. 0.57984 | Fr. 289.92 |
| 1’000 | Fr. 0.53166 | Fr. 531.66 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.47050 | Fr. 1’411.50 |
| 6’000 | Fr. 0.43973 | Fr. 2’638.38 |
| 9’000 | Fr. 0.42406 | Fr. 3’816.54 |
| 15’000 | Fr. 0.41706 | Fr. 6’255.90 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.69000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.82689 |

