
SQJ262EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ262EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 15 A (Tc), 40 A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ262EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10nC à 10V, 23nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 550pF à 25V, 1260pF à 25V |
Série | Puissance - Max. 27W (Tc), 48W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15 A (Tc), 40 A (Tc) | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Rds On (max.) à Id, Vgs 35,5mohms à 2A, 10V, 15,5mohms à 5A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.59000 | Fr. 1.59 |
| 10 | Fr. 1.01000 | Fr. 10.10 |
| 100 | Fr. 0.68030 | Fr. 68.03 |
| 500 | Fr. 0.53908 | Fr. 269.54 |
| 1’000 | Fr. 0.49365 | Fr. 493.65 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.43598 | Fr. 1’307.94 |
| 6’000 | Fr. 0.40696 | Fr. 2’441.76 |
| 9’000 | Fr. 0.39218 | Fr. 3’529.62 |
| 15’000 | Fr. 0.38171 | Fr. 5’725.65 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.59000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.71879 |

