Name: SUM90100E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUM90100E-GE3-ND
Price: 4.45372 CHF
Availability: InStock

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SUM90100E-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SUM90100E-GE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUM90100E-GE3
Description	N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 150 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 11,4mohms à 16A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V
Conditionnement En vrac	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3930 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 150 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB

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