SDRAM DDR3 e DDR3L ad alta velocità

La linea di DRAM sincrone a doppia velocità dati 3 (SDRAM DDR3) CMOS ad alta velocità di Alliance Memory e le SDRAM DDR3L a bassa tensione offrono densità di 1, 2, 4 e 8 G in contenitori FBGA a 78 sfere 9 x 10,5 x 1,2 mm e a 96 sfere 9 x 13 x 1,2 mm. Con minime riduzioni del die, le SDRAM DDR3 (1,5 V) e DDR3L (1,35 V) rappresentano affidabili sostituti drop-in compatibili a livello di pin per una serie di soluzioni simili utilizzati in combinazione con i microprocessori della generazione più recente, eliminando la necessità di costose riprogettazioni e riqualificazione del componente.

Caratteristiche

• Internamente configurato come otto banchi di 64, 128, 256, 512 MB e 1 GB x 8 bit e/o 16 bit
• Alimentatori:
  
  • +1,5 V (±0,075 V) (SDRAM DDR3 AS4C64M16D3, AS4C128M8D3, AS4C128M16D3, AS4C256M8D3, AS4C256M16D3 e AS4C512M8D3)
  • +1,35 V (SDRAM DDR3L AS4C64M16D3L, AS4C128M8D3L, AS4C128M16D3L, AS4C256M8D3L, AS4C256M16D3L, AS4C512M8D3L, AS4C512M16D3L e AS4C1G8MD3L)
• Disponibili in contenitori FBGA a 78 e 96 sfere
• Architettura a doppia velocità dati 3 per velocità di trasferimento estremamente elevate fino a 1600 Mbps/pin e frequenze di clock di 800 MHz
• Algoritmi di coesistenza avanzati e collaborativi
• Disponibile negli intervalli di temperatura commerciale esteso (da 0 a +95 °C) e industriale (da -40 a +95 °C)
• Funzionamento completamente sincrono
• Durate di burst in lettura o scrittura programmabili di 4 o 8
• La funzione di precarica automatica fornisce una precarica auto-temporizzata delle righe che si avvia al termine della sequenza di burst
• Le funzioni di aggiornamento facili da usare includono l'aggiornamento automatico
• A norma RoHS
• Senza piombo e senza alogeni
• Il registro di modalità programmabile consente al sistema di scegliere le modalità più adatte per massimizzare le prestazioni