Canale N 30 V 84 A (Ta), 200 A (Tc) 7,3W (Ta), 208W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
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Canale N 30 V 84 A (Ta), 200 A (Tc) 7,3W (Ta), 208W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
8-DFN Top

AON6560

Codice DigiKey
AON6560-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AON6560
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 84A/200A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 84 A (Ta), 200 A (Tc) 7,3W (Ta), 208W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
325 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
11500 pF @ 15 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
7,3W (Ta), 208W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-DFN (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
0,62mohm a 20A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.94053Fr. 2’821.59
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.94053
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.01671