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Canale N 650 V 12 A (Tc) 50W (Tc) Foro passante TO-220F
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AOTF12N65

Codice DigiKey
AOTF12N65-ND
Produttore
Codice produttore
AOTF12N65
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 12 A (Tc) 50W (Tc) Foro passante TO-220F
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
48 nC @ 10 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2150 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-220F
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
720mohm a 6A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (10)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FCPF650N80Zonsemi967FCPF650N80Z-NDFr. 3.38000Simile
FCPF850N80Zonsemi753FCPF850N80Z-NDFr. 3.09000Simile
FDPF12N60NZonsemi926488-FDPF12N60NZ-NDFr. 2.51000Simile
IRFIB6N60APBFVishay Siliconix755IRFIB6N60APBF-NDFr. 4.24000Simile
PJMF600N65E1_T0_00001Panjit International Inc.1’9503757-PJMF600N65E1_T0_00001-NDFr. 1.46000Simile
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Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.90389