Name: DMN2002UFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2002UFG-7TR-ND
Price: 0.32862 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN2002UFG-7
Codice DigiKey	31-DMN2002UFG-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2002UFG-7
Descrizione	IC
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 180 A (Tc) 600mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 99 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3926 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 180 A (Tc)	Contenitore del fornitore POWERDI3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4mohm a 10A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN2002UFG-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN2002UFG-13TR-ND	Fr. 0.27239	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 0.30400	Fr. 608.00

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.30400
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.32862

DMN2002UFG-7