Name: DMN2026UVT-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2026UVT-13DI-ND
Price: 0.10491 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN2026UVT-13
Codice DigiKey	DMN2026UVT-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2026UVT-13
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 6,2 A (Tc) 1,15W (Ta) A montaggio superficiale TSOT-23-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18.4 nC @ 8 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 887 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,15W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,2 A (Tc)	Contenitore del fornitore TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 6,2A, 4,5V	Codice componente base DMN2026

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN2026UVT-7	Diodes Incorporated	0	31-DMN2026UVT-7CT-ND	Fr. 0.51000	Equivalente parametrico
FDC637AN	onsemi	2’644	FDC637ANCT-ND	Fr. 0.96000	Simile
SI3464DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	1’756	SI3464DV-T1-GE3CT-ND	Fr. 0.74000	Simile