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DMN3008SFGQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMN3008SFGQ-13-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN3008SFGQ-13 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V PWRDI3333 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 17,6 A (Ta), 62 A (Tc) 900mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 86 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3690 pF @ 10 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore POWERDI3333-8 |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,4mohm a 13,5A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 2,3V a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | 658 | 31-DMN3008SFGQ-7CT-ND | Fr. 1.10000 | Equivalente parametrico |
| RJK03M3DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | 5’603 | 559-RJK03M3DPA-00#J5ACT-ND | Fr. 2.08000 | Simile |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.28348 | Fr. 850.44 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.28348 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.30644 |
