Name: DMT6005LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6005LPS-13DITR-ND
Price: 1.50259 CHF
Availability: InStock

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DMT6005LPS-13
Codice DigiKey	DMT6005LPS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMT6005LPS-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMT6005LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT6005LPS-13
Descrizione	MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 17,9 A (Ta), 100 A (Tc) 2,6W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMT6005LPS-13 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 47.1 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2962 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,6W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17,9 A (Ta), 100 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8
RDSon (max) a Id, Vgs 4,9mohm a 50A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA	Codice componente base DMT6005

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC042NE7NS3GATMA1	Infineon Technologies	17’042	BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND	Fr. 2.63000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.39000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.50259

DMT6005LPS-13