Name: DMTH10H032LPSW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032LPSW-13TR-ND
Price: 0.88642 CHF
Availability: InStock

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DMTH10H032LPSW-13
Codice DigiKey	31-DMTH10H032LPSW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH10H032LPSW-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH10H032LPSW-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH10H032LPSW-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 33 A (Tc) 3,4W (Ta), 68W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.9 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 683 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,4W (Ta), 68W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 (tipo UX)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 32mohm a 5A, 10V	Codice componente base DMTH10

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.82000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.88642

DMTH10H032LPSW-13