Name: DMTH10H032LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032LPSWQ-13TR-ND
Price: 0.9729 CHF
Availability: OutOfStock

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DMTH10H032LPSWQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH10H032LPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH10H032LPSWQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH10H032LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH10H032LPSWQ-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 33 A (Tc) 3,4W (Ta), 68W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.9 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 683 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,4W (Ta), 68W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Tc)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 (tipo UX)
RDSon (max) a Id, Vgs 32mohm a 5A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA	Codice componente base DMTH10

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMTH10H032LPSW-13	Diodes Incorporated	1’646	31-DMTH10H032LPSW-13CT-ND	Fr. 0.82000	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.90000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.97290

DMTH10H032LPSWQ-13