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DMTH4M90LPSWQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMTH4M90LPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMTH4M90LPSWQ-13 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 356A (Tc) 4,2W (Ta), 200W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX) |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 111 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9308 pF @ 20 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 4,2W (Ta), 200W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 (tipo UX) |
RDSon (max) a Id, Vgs 0,9mohm a 20A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH4M90LPSW-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH4M90LPSW-13TR-ND | Fr. 0.96585 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.84288 | Fr. 2’107.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.84288 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.91115 |
