


G2R1000MT33J-TR | |
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Codice DigiKey | 1242-G2R1000MT33J-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1242-G2R1000MT33J-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1242-G2R1000MT33J-TRDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | G2R1000MT33J-TR |
Descrizione | 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 3300 V 5 A (Tc) 74W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 3300 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,2ohm a 2A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 2mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 21 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +20V, -5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 238 pF @ 1000 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263-7 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 14.95000 | Fr. 14.95 |
| 10 | Fr. 13.76600 | Fr. 137.66 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 11.38403 | Fr. 9’107.22 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 14.95000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 16.16095 |









