IDH09G65C5XKSA1 è esaurito e non è attualmente disponibile per un ordine arretrato.
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Equivalente parametrico

IDH10G65C5XKSA2
Infineon Technologies
In magazzino: 393
Prezzo unitario : Fr. 3.56000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

FFSP0865B
onsemi
In magazzino: 800
Prezzo unitario : Fr. 3.14000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

FFSP1065B-F085
onsemi
In magazzino: 772
Prezzo unitario : Fr. 3.47000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

PCDP1065G1_T0_00001
Panjit International Inc.
In magazzino: 1’478
Prezzo unitario : Fr. 3.26000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

S3D10065A
SMC Diode Solutions
In magazzino: 1’914
Prezzo unitario : Fr. 1.62000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SICR10650
SMC Diode Solutions
In magazzino: 168
Prezzo unitario : Fr. 2.47000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

UJ3D06510TS
onsemi
In magazzino: 11’657
Prezzo unitario : Fr. 3.60000
Scheda tecnica
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TO-220-2
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IDH09G65C5XKSA1

Codice DigiKey
IDH09G65C5XKSA1-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IDH09G65C5XKSA1
Descrizione
DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2202
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 9A Foro passante PG-TO220-2-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™+
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
9A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.7 V @ 9 A
Velocità
Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
310 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F
270pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-220-2
Contenitore del fornitore
PG-TO220-2-2
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 175°C
Codice componente base
IDH09G65
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