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IPA80R1K4CEXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPA80R1K4CEXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPA80R1K4CEXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 2,8 A (Tc) 31W (Tc) Foro passante PG-TO220-FP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 240µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 570 pF @ 100 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 31W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-FP |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4ohm a 2,3A, 10V |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | 3 | IPA80R1K4CEXKSA2-ND | Fr. 1.63000 | Diretto |
| FQPF8N60CFT | onsemi | 420 | FQPF8N60CFT-ND | Fr. 2.20000 | Simile |
In magazzino: 0
