
IPA80R650CEXKSA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPA80R650CEXKSA2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPA80R650CEXKSA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 8 A (Ta) 33W (Tc) Foro passante TO-220-3F |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPA80R650CEXKSA2 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 470µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore TO-220-3F |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 650mohm a 5,1A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STF9NM60N | STMicroelectronics | 1’359 | 497-12591-5-ND | Fr. 2.59000 | Simile |
| TK9A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 22 | TK9A60D(STA4QM)-ND | Fr. 2.30000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.30000 | Fr. 2.30 |
| 50 | Fr. 1.13600 | Fr. 56.80 |
| 100 | Fr. 1.02280 | Fr. 102.28 |
| 500 | Fr. 0.82424 | Fr. 412.12 |
| 1’000 | Fr. 0.76041 | Fr. 760.41 |
| 2’000 | Fr. 0.70675 | Fr. 1’413.50 |
| 5’000 | Fr. 0.64872 | Fr. 3’243.60 |
| 10’000 | Fr. 0.63703 | Fr. 6’370.30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.48630 |








