Name: IPB029N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB029N06N3GATMA1TR-ND
Price: 3.05923 CHF
Availability: InStock

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IPB029N06N3GATMA1
Codice DigiKey	IPB029N06N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB029N06N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB029N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB029N06N3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 120 A (Tc) 188W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB029N06N3GATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 118µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 165 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 13000 pF @ 30 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 188W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB029
RDSon (max) a Id, Vgs 2,9mohm a 100A, 10V

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB029N06NF2SATMA1	Infineon Technologies	1’337	448-IPB029N06NF2SATMA1CT-ND	Fr. 2.53000	Consigliato dal produttore
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BUK763R1-60E,118	Nexperia USA Inc.	7’783	1727-7252-1-ND	Fr. 3.38000	Simile
FDB035AN06A0	onsemi	5’010	FDB035AN06A0CT-ND	Fr. 5.34000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)