IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPD50R1K4CEAUMA1
Codice DigiKey	448-IPD50R1K4CEAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD50R1K4CEAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD50R1K4CEAUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 3,1 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD50R1K4CEAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 70µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.2 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 178 pF @ 100 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 500 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,1 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 13V	Codice componente base IPD50R1
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4ohm a 900mA, 13V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)