PG-TO252-3
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PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD60R385CPATMA1

Codice DigiKey
IPD60R385CPATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPD60R385CPATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPD60R385CPATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPD60R385CPATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 9 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD60R385CPATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ CP
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
385mohm a 5,2A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 340µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
790 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
IPD60R
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.22000Fr. 2.22
10Fr. 1.43100Fr. 14.31
100Fr. 0.98450Fr. 98.45
500Fr. 0.80362Fr. 401.81
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.65650Fr. 1’641.25
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.22000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.39982
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