


IPD80R1K0CEATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R1K0CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 5,7 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD80R1K0CEATMA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 785 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 950mohm a 3,6A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 1’975 | TSM60NB900CPROGCT-ND | Fr. 1.80000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.68000 | Fr. 1.68 |
| 10 | Fr. 1.07200 | Fr. 10.72 |
| 100 | Fr. 0.72420 | Fr. 72.42 |
| 500 | Fr. 0.57536 | Fr. 287.68 |
| 1’000 | Fr. 0.52749 | Fr. 527.49 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.47568 | Fr. 1’189.20 |
| 5’000 | Fr. 0.44367 | Fr. 2’218.35 |
| 7’500 | Fr. 0.42736 | Fr. 3’205.20 |
| 12’500 | Fr. 0.41316 | Fr. 5’164.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.68000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.81608 |








