
IPP65R125C7XKSA1 | |
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Codice DigiKey | IPP65R125C7XKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP65R125C7XKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 18 A (Tc) 101W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPP65R125C7XKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 440µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1670 pF @ 400 V |
Stato componente Data di acquisto finale | Dissipazione di potenza (max) 101W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 8,9A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | 211 | IPA65R125C7XKSA1-ND | Fr. 4.71000 | Consigliato dal produttore |
| SIHP30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP30N60E-GE3-ND | Fr. 5.55000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.44000 | Fr. 4.44 |
| 50 | Fr. 2.29940 | Fr. 114.97 |
| 100 | Fr. 2.09240 | Fr. 209.24 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.44000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.79964 |








